1.普通晶闸管门极与阴极问的反电电阻比正向电阻( )。
A.大得多 B.基本相等 C.明显大一些 D.小一些
解析:无。
本题选C。
1.用万用表测试好的单向晶闸管时,G、K极间正反向电阻应该( )。
A.都不大 (8)都很大 C.都很小 D.一小一大
解析:无。
本题选D。
1.晶闸管正向阻断时,阳极与阴极问只有很小的( )。
A.正向漏电流 B.反向漏电流 C.正向导通电流 D.反向击穿电流
解析:无。
本题选A。
1.单向可控硅由导通变为截止要满足( )条件。
A.阳极和阴极间加反向电压 B.升高阳极电压 C.降低阴极电压 D.断开控制电路
解析:无。
本题选A。
1.单相桥式半控整流电路,有( )组触发电压。
A.l B.2 C.3 D.4
解析:无。
本题选B。
1.单相桥式全控整流电路,有( )组触发电压。
A.l B.2 C.3 D.4
解析:无。
本题选D。
1.三相半波可控整流电路的最大移相范围是( )。
A.90° B.120° C.150° D.180°
解析:无。
本题选C。
1.三相桥式半控整流电路中最大导通角是( )。
A.120° B.180° C.210° D.360°
解析:无。
本题选A。
1.下列( )触发方式不属于可控硅触发电路。
A.大功率二极管触发 B.磁放大器触发 C.单结晶体管触发 D.正弦波同步触发
解析:无。
本题选A。
1.下列( B )触发方式不属于可控硅触发电路。
A.大功率三极管触发 B.大功率二极管触发 C.脉冲触发 D.集成电路触发
解析:无。
本题选B。
1.电流强度为l安培的电流在l小时内通过某导体横截面的电量是( )。
A.l库仑 B.60库仑 C.3600库仑 D.1200库仑
解析:无。
本题选C。
1.由电引起的火灾是电流的( )效应引起的。
A.物理 B.化学 C.热 D.涡流
解析:无。
本题选C。
A.大得多 B.基本相等 C.明显大一些 D.小一些
解析:无。
本题选C。
1.用万用表测试好的单向晶闸管时,G、K极间正反向电阻应该( )。
A.都不大 (8)都很大 C.都很小 D.一小一大
解析:无。
本题选D。
1.晶闸管正向阻断时,阳极与阴极问只有很小的( )。
A.正向漏电流 B.反向漏电流 C.正向导通电流 D.反向击穿电流
解析:无。
本题选A。
1.单向可控硅由导通变为截止要满足( )条件。
A.阳极和阴极间加反向电压 B.升高阳极电压 C.降低阴极电压 D.断开控制电路
解析:无。
本题选A。
1.单相桥式半控整流电路,有( )组触发电压。
A.l B.2 C.3 D.4
解析:无。
本题选B。
1.单相桥式全控整流电路,有( )组触发电压。
A.l B.2 C.3 D.4
解析:无。
本题选D。
1.三相半波可控整流电路的最大移相范围是( )。
A.90° B.120° C.150° D.180°
解析:无。
本题选C。
1.三相桥式半控整流电路中最大导通角是( )。
A.120° B.180° C.210° D.360°
解析:无。
本题选A。
1.下列( )触发方式不属于可控硅触发电路。
A.大功率二极管触发 B.磁放大器触发 C.单结晶体管触发 D.正弦波同步触发
解析:无。
本题选A。
1.下列( B )触发方式不属于可控硅触发电路。
A.大功率三极管触发 B.大功率二极管触发 C.脉冲触发 D.集成电路触发
解析:无。
本题选B。
1.电流强度为l安培的电流在l小时内通过某导体横截面的电量是( )。
A.l库仑 B.60库仑 C.3600库仑 D.1200库仑
解析:无。
本题选C。
1.由电引起的火灾是电流的( )效应引起的。
A.物理 B.化学 C.热 D.涡流
解析:无。
本题选C。
编辑推荐:
下载Word文档

温馨提示:因考试政策、内容不断变化与调整,长理培训网站提供的以上信息仅供参考,如有异议,请考生以权威部门公布的内容为准! (责任编辑:长理培训)
点击加载更多评论>>