10.材料的宏观热膨胀性是由于原子在平衡位置对称振动,振幅增大的结果 ( )。
A.正确 B.错误
解析:无。
本题选B。
11.线膨胀系数在所有温度下都是常数( )。
A.正确 B.错误
解析:无。
本题选B。
12.在同样的加热条件下,材料的热容量越大,材料的温度上升得越快 ( )。
A.正确 B.错误
解析:无。
本题选B。
金属的载流子是阳离子( )。
A.正确 B.错误
解析:无。
本题选B。
硅的载流子只有电子( )。
A.正确 B.错误
解析:无。
本题选B。
离子固体的载流子只是正负离子( )。
A.正确 B.错误
解析:无。
本题选B。
迁移率为载流子在单位电场中的迁移速度( )。
A.正确 B.错误
解析:无。
本题选A。
6.单质金属的载流子是自由电子,且自由电子全部参予导电( )。
A.正确 B.错误
解析:无。
本题选B。
7.本征半导体的载流子包括自由电子和空穴σ=n︱e︱μe+P︱e︱μh( )。
A.正确 B.错误
解析:无。
本题选A。
A.正确 B.错误
解析:无。
本题选B。
11.线膨胀系数在所有温度下都是常数( )。
A.正确 B.错误
解析:无。
本题选B。
12.在同样的加热条件下,材料的热容量越大,材料的温度上升得越快 ( )。
A.正确 B.错误
解析:无。
本题选B。
金属的载流子是阳离子( )。
A.正确 B.错误
解析:无。
本题选B。
硅的载流子只有电子( )。
A.正确 B.错误
解析:无。
本题选B。
离子固体的载流子只是正负离子( )。
A.正确 B.错误
解析:无。
本题选B。
迁移率为载流子在单位电场中的迁移速度( )。
A.正确 B.错误
解析:无。
本题选A。
6.单质金属的载流子是自由电子,且自由电子全部参予导电( )。
A.正确 B.错误
解析:无。
本题选B。
7.本征半导体的载流子包括自由电子和空穴σ=n︱e︱μe+P︱e︱μh( )。
A.正确 B.错误
解析:无。
本题选A。
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