50、并联谐振逆变电路采用负载换流方式时,谐振回路不一定要呈电容性( )。
A.正确 B.错误
解析:无。
本题选B。
51、双向晶闸管的结构与普通晶闸管不一样,它是由五层半导体材料构成的( )。
A.正确 B.错误
解析:无。
本题选A。
52、电压型并联谐振逆变电路,负载电压波形是很好的正弦波( )。
A.正确 B.错误
解析:无。
本题选A。
53、有源逆变电路是把直流电能变换成50Hz交流电能送回交流电网( )。
A.正确 B.错误
解析:无。
本题选A。
54、无源逆变电路是把直流电能逆变成交流电能送给交流电网( )。
A.正确 B.错误
解析:无。
本题选B。
55、在变流装置系统中,增加电源的相数也可以提高电网的功率因数( )。
A.正确 B.错误
解析:无。
本题选B。
56、KP100—5表示的是额定电压100V,额定电流500A的普通型晶闸管( )。
A.正确 B.错误
解析:无。
本题选B。
1.半导体中的空穴和自由电子数相等,这样的半导体称为 ( )。
A.P型半导体 B.N型半导体 C.本征半导体
解析:无。
本题选C。
2.P型半导体是在本征半导体中加入微量的( )元素构成的。
A.三价 B.四价 C.五价 D.六价
解析:无。
本题选A。
3.P型半导体中的多数载流子是( )。
A.电子 B.空穴 C.电子和空穴
解析:无。
本题选B。
4.N型半导体中的多数载流子是( )。
A.电子 B.空穴 C.电子和空穴
解析:无。
本题选A。
5.整流电路加滤波电路的主要作用是( )。
A.提高输出电压 B.减少输出电压的脉动程度 C.降低输出电压 D.限制输出电流
解析:无。
本题选B。
6.三端稳压电源输出负电压并可调的是( )。
A.CW79XX系列 B.CW337系列 C.CW317系列 D.CW78XX系列
解析:无。
本题选B。
7.基本放大电路中,经过晶体管的信号电流有( )。
A.直流成分 B.交流成分 C.交直流成分均有
解析:无。
本题选C。
8.基本放大电路中的主要放大对象是( )。
A.直流信号 B.交流信号 C.交直流信号均有
解析:无。
本题选B。
9.分压式偏置的NPN型晶体管共发射极放大电路中,UB 点电位过高,晶体管易出现( )。
A.饱和状态 B.截止状态 C.放大状态
解析:无。
本题选A。
10.晶体管放大电路中,基极电流 iB 的数值较大时,易引起静态工作点Q接近( )。
A.截止区 B.饱和区 C.死区
解析:无。
本题选B。
11.NPN型晶体放大电路中,晶体管各级电位最高的是( )。
A.基极 B.发射极 C.集电极
解析:无。
本题选C。
12.射极输出器的输出电阻小,说明该电路的( )。
A.带负载能力强 B.带负载能力差 C.减轻前级或信号源负荷
解析:无。
本题选A。
13.在三极管的输出特性曲线中,每一条曲线与( )对应。
A.集电极电流 B.发射极电流 C.基极电流
解析:无。
本题选C。
14.为了增大放大电路的动态范围,其静态工作点应选择( )。
A.截止点; B.饱和点; C.交流负载线的中点 D.直流负载线的中点
解析:无。
本题选D。
15.在晶体管放大电路中,当集电极电流增大时,将使晶体管( )。
A.电压UCE 增大 B.电压UCE 减小 C.基极电流减小
解析:无。
本题选B。
16.已知某晶体管为硅管,则该管饱和时的饱和压降UCES为( )。
A.0.7V B.0.1V C.0.3V D.1.0V
解析:无。
本题选C。
17.存在交越失真的功率放大电路是( )。
A.甲类功放电路 B.乙类功放电路 C.甲乙类功放电路
解析:无。
本题选B。
18.共阴极接法七段数码管(高电平发光)显示的字型如右下图所示,若要显示数字“5”,则需要( )字段为高电平,其余为低电平。
A.acdefg B.abcdfg C.acefg D.acdfg
解析:无。
本题选D。
A.正确 B.错误
解析:无。
本题选B。
51、双向晶闸管的结构与普通晶闸管不一样,它是由五层半导体材料构成的( )。
A.正确 B.错误
解析:无。
本题选A。
52、电压型并联谐振逆变电路,负载电压波形是很好的正弦波( )。
A.正确 B.错误
解析:无。
本题选A。
53、有源逆变电路是把直流电能变换成50Hz交流电能送回交流电网( )。
A.正确 B.错误
解析:无。
本题选A。
54、无源逆变电路是把直流电能逆变成交流电能送给交流电网( )。
A.正确 B.错误
解析:无。
本题选B。
55、在变流装置系统中,增加电源的相数也可以提高电网的功率因数( )。
A.正确 B.错误
解析:无。
本题选B。
56、KP100—5表示的是额定电压100V,额定电流500A的普通型晶闸管( )。
A.正确 B.错误
解析:无。
本题选B。
1.半导体中的空穴和自由电子数相等,这样的半导体称为 ( )。
A.P型半导体 B.N型半导体 C.本征半导体
解析:无。
本题选C。
2.P型半导体是在本征半导体中加入微量的( )元素构成的。
A.三价 B.四价 C.五价 D.六价
解析:无。
本题选A。
3.P型半导体中的多数载流子是( )。
A.电子 B.空穴 C.电子和空穴
解析:无。
本题选B。
4.N型半导体中的多数载流子是( )。
A.电子 B.空穴 C.电子和空穴
解析:无。
本题选A。
5.整流电路加滤波电路的主要作用是( )。
A.提高输出电压 B.减少输出电压的脉动程度 C.降低输出电压 D.限制输出电流
解析:无。
本题选B。
6.三端稳压电源输出负电压并可调的是( )。
A.CW79XX系列 B.CW337系列 C.CW317系列 D.CW78XX系列
解析:无。
本题选B。
7.基本放大电路中,经过晶体管的信号电流有( )。
A.直流成分 B.交流成分 C.交直流成分均有
解析:无。
本题选C。
8.基本放大电路中的主要放大对象是( )。
A.直流信号 B.交流信号 C.交直流信号均有
解析:无。
本题选B。
9.分压式偏置的NPN型晶体管共发射极放大电路中,UB 点电位过高,晶体管易出现( )。
A.饱和状态 B.截止状态 C.放大状态
解析:无。
本题选A。
10.晶体管放大电路中,基极电流 iB 的数值较大时,易引起静态工作点Q接近( )。
A.截止区 B.饱和区 C.死区
解析:无。
本题选B。
11.NPN型晶体放大电路中,晶体管各级电位最高的是( )。
A.基极 B.发射极 C.集电极
解析:无。
本题选C。
12.射极输出器的输出电阻小,说明该电路的( )。
A.带负载能力强 B.带负载能力差 C.减轻前级或信号源负荷
解析:无。
本题选A。
13.在三极管的输出特性曲线中,每一条曲线与( )对应。
A.集电极电流 B.发射极电流 C.基极电流
解析:无。
本题选C。
14.为了增大放大电路的动态范围,其静态工作点应选择( )。
A.截止点; B.饱和点; C.交流负载线的中点 D.直流负载线的中点
解析:无。
本题选D。
15.在晶体管放大电路中,当集电极电流增大时,将使晶体管( )。
A.电压UCE 增大 B.电压UCE 减小 C.基极电流减小
解析:无。
本题选B。
16.已知某晶体管为硅管,则该管饱和时的饱和压降UCES为( )。
A.0.7V B.0.1V C.0.3V D.1.0V
解析:无。
本题选C。
17.存在交越失真的功率放大电路是( )。
A.甲类功放电路 B.乙类功放电路 C.甲乙类功放电路
解析:无。
本题选B。
18.共阴极接法七段数码管(高电平发光)显示的字型如右下图所示,若要显示数字“5”,则需要( )字段为高电平,其余为低电平。
A.acdefg B.abcdfg C.acefg D.acdfg
解析:无。
本题选D。
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