测量介质损耗因数，通常不能发现的设备绝缘缺陷是（）。

试卷相关题目

• 1

  测量绝缘电阻及直流泄露电流通常不能发现的设备绝缘缺陷是（）

  A.贯穿性缺陷

  B.整体受潮

  C.贯穿性受潮或脏污

  D.整体老化

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• 2测量绝缘电阻和测量泄露电流最主要的区别是（）。

  A.试验原理不同

  B.加压时间不同

  C.电压大小不同

  D.试验设备不同

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• 3

  以下关于周部放电测量的说法错误的是（）。

  A.局部放电的测量能测出绝缘内部是否存在气泡、空隙、杂质等缺陷。

  B.绝缘中的局部放电是引起电介质老化的重要原因之一。

  C.视在放电量是表征局部放电的唯一参数。

  D.放电重复率与外加电压的大小有关，外加电压增大时，放电次数也随之增多。

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• 4对大容量的设备进行直流耐压试验后，应先采用（）方式，再直接接地。

  A.电容放电

  B.电感放电

  C.电阻放电

  D.阻容放电

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• 5S用静电电压表测量工频高电压时，测得的是电压的（ ）。

  A.瞬时值

  B.峰值

  C.有效值

  D.平均值

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• 6电气设备温度下降，其绝缘的直流泄露电流（）。

  A.变大

  B.变小

  C.不变

  D.变得不稳定

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• 7变色硅胶颜色为（）时，表明该硅胶吸潮已达到饱和状态。

  A.蓝

  B.白

  C.黄

  D.红

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• 8当整个绝缘全面老化时，有效的拭验判断方法是（）。

  A.测泄露电流

  B.测直流电阻

  C.测介质损耗因数

  D.测绝缘电阻

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• 9以下关于电介质损耗角正切值tgδ说法错误的是（）。

  A.如果绝缘内部的缺陷不是分布性而是集中性的，则用测tgδ反映不灵敏。

  B.测量tgδ能有效发现绝缘能反映绝缘的整体性缺陷（全面老化），小容量试品中的严重局部缺陷。

  C.tg6随电压的变化曲线可判断绝缘是否受潮，含有气泡及老化程度。

  D.西林电桥反接法一般应用于实验室内的测试材料及小设备，实现样品的对地绝缘。

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• 10

  试品绝缘电阻的测量值获取需加压（）s。

  A.15

  B.30

  C.45

  D.60

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