MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区.饱和区.非饱和区分别对应后者的（）。

试卷相关题目

SQL Error: select id,body,options from ***_enewstiku where sourceid='32648' and id < 2595969 and id<>'2595969' order by id desc limit 5 SQL Error: select id,body,options from ***_enewstiku where sourceid='32648' and id > 2595969 and id<>'2595969' order by id asc limit 5