GTO导通时饱和程度比晶闸管导通时饱和程度深。（）

试卷相关题目

• 1晶闸管的电压定额中有反向重复峰值电压URRM和断态重复峰值电压UDRM，通常取晶闸管的UDRM和URRM中较大的标值作为该器件的额定电压。（）

  A.正确

  B.错误

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• 2从外形上来看，晶闸管主要有螺栓形和平板形两种封装结构。其中电流大的做成螺栓形，电流小的做成平板形。（）

  A.正确

  B.错误

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• 3电力二极管内部PN结的电导调制效应影响PN结的工作频率。（）

  A.正确

  B.错误

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• 4为了减小通态损耗，软开关技术便应运而生。（）

  A.正确

  B.错误

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• 5GTO和GTR同为电流驱动型器件，但是GTO的触发信号是脉冲信号，GTR的触发信号则需要在导通器件持续给出。（）

  A.正确

  B.错误

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• 6电力电子电路中，电力MOSFET的开和关两种状态是在截止区和饱和区之间切换。（）

  A.正确

  B.错误

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• 7晶闸管并联使用时，必须采取均压措施。（）

  A.正确

  B.错误

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• 8当晶闸管承受反向电压时，不论门极是否有触发电流，管子都将工作在（）。

  A.导通状态

  B.关断状态

  C.饱和状态

  D.不确定

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• 9低频工作的电力电子器件，其功率损耗的主要原因是（）。

  A.通态损耗

  B.断态损耗

  C.开通损耗

  D.关断损耗

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• 10晶闸管导通的条件是（）。

  A.阳极加正向电压，门极有正向脉冲

  B.阳极加正向电压，门极有负向脉冲

  C.阳极加反向电压，门极有正向脉冲

  D.阳极加反向电压，门极有负向脉冲

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