试卷相关题目
- 1下列哪项属于影响放电发展时间的因素（ ）。
A.间隙长度
B.电场均匀度
C.外施电压
D.电极材料
开始考试点击查看答案 - 2气体中电晕故电特征包括（）。
A.电晕电流会引起有功损耗
B.电晕使空气发生化学反应
C.电晕可以改善电场分布
D.电晕放电具有髙频脉冲性质
开始考试点击查看答案 - 3电晕放电的形式包括（ ）。
A.自持放电形式
B.电子崩形式
C.流注形式
D.刷状放电形式
开始考试点击查看答案 - 4正棒负板和负棒正板这两类极不均匀电场气体放电过程电晕起始电压
和击穿电压
的关系正确的是（）。A.
（+）>
（-）B.
（+）<
（-）C.
（+）>
（-）D.
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（+）<
（-） - 5正棒-负板和负棒-正板这两类极不均匀电场的电晕起始电压和击穿电压的关系是（ ）。
A.正棒-负扳的电晕起始电压小于负棒-正板的电晕起始电压
B.正棒-负梹的击穿电压大于负棒-正板的击穿电压
C.正棒-负板的电晕起始电压大于负棒-正板的电晕起始电压
D.正棒-负板的击穿电压小于负棒-正板的击穿电压
开始考试点击查看答案 - 6汤逊理论考虑了（ ）。
A.碰撞游离
B.表面游离
C.空间电荷对外电场的畸变
D.光游离
开始考试点击查看答案 - 7流注理论考虑了（）。
A.碰撞游离
B.表面游离
C.空间电荷对外电场的畸变
D.光游离
开始考试点击查看答案 - 8汤逊理论认为，（ ）是形成自持放电的主荽因素。
A.碰撞理论
B.表面游离
C.光电离
D.热电离
开始考试点击查看答案 - 9提高沿面闪络电压的方法有（ ）。
A.屏蔽
B.屏障
C.应用半导体涂料
D.加强绝缘
开始考试点击查看答案 - 10下列可提髙气体间隙击穿场强的方法有（ ）。
A.釆用高真空
B.采用高电气强度气体
C.改进电极形状以改善电场分布
D.采用高气压
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