造成在不加门极触发控制信号即使晶闸管从阻断状态转为导通状态的非正常转折有二种因素，一是阳极的电压上升率du/dt太快，二是（）。

试卷相关题目

• 1晶闸管导通的条件是（）。

  A.阳极加正向电压，门极有正向脉冲

  B.阳极加正向电压，门极有负向脉冲

  C.阳极加反向电压，门极有正向脉冲

  D.阳极加反向电压，门极有负向脉冲

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• 2低频工作的电力电子器件，其功率损耗的主要原因是（）。

  A.通态损耗

  B.断态损耗

  C.开通损耗

  D.关断损耗

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• 3当晶闸管承受反向电压时，不论门极是否有触发电流，管子都将工作在（）。

  A.导通状态

  B.关断状态

  C.饱和状态

  D.不确定

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• 4晶闸管并联使用时，必须采取均压措施。（）

  A.正确

  B.错误

  C.空

  D.空

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• 5电力电子电路中，电力MOSFET的开和关两种状态是在截止区和饱和区之间切换。（）

  A.正确

  B.错误

  C.空

  D.空

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• 6由门极控制导通的晶闸管导通后，门极信号（）。

  A.失去作用

  B.需维持原值

  C.需降低

  D.需提高

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• 7晶闸管门极触发信号刚从断态转入通态即移去触发信号，能维持通态所需要的最小阳极电流，称为（）。

  A.维持电流

  B.擎住电流

  C.浪涌电流

  D.额定电流

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• 8取断态重复峰值电压和反向重复峰值电压中较小的一个，并规化为标准电压等级后，定为该晶闸管的（）

  A.转折电压

  B.反向击穿电压

  C.阈值电压

  D.额定电压

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• 9下列电力电子器件中，（）的驱动功率较小。

  A.SCR

  B.GTO

  C.GTR

  D.IGBT

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• 10下列电力电子器件中，电流容量最大的是（）

  A.SCR

  B.GTR

  C.PowerMOSFET

  D.IGBT

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