A.GTO
B.GTR
C.电力MOSFET
D.IGBT
A.IGCT
B.MCT
C.电力MOSFET
D.IGBT
开始考试点击查看答案A.晶闸管
B.SIT
C.电力MOSFET
D.IGBT
开始考试点击查看答案A.处理电功率的能力比较大;
B.工作在放大状态:
C.由信息电子电路来控制;
D.需要安装散热器
开始考试点击查看答案A.阳极电流小于通态平均电流
B.阳极电流小于维持电流
C.晶闸管施加反向电压
D.去掉阳极所加的正向电压
开始考试点击查看答案A.晶闸管属于电流驱动双极型器件
B.晶闸管具有单向导电性
C.晶闸管触发导通后,门极就失去了控制作用
D.晶闸管的擎住电流大于维持电流
开始考试点击查看答案A.驱动电路简单,需要的驱动功率小;
B.开关速度快;
C.电流容量小,耐压低,多用于功率不超过10kW的电力电子装置;
D.电流容量大,耐压高,多用于功率大于10kW的电力电子装置。
开始考试点击查看答案A.硅
B.碳化硅
C.氮化镓
D.锗
开始考试点击查看答案A.正确
B.错误
C.空
D.空
开始考试点击查看答案A.正确
B.错误
C.空
D.空
开始考试点击查看答案A.正确
B.错误
C.空
D.空
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