电力二极管通流能力很大，但正向导通压降很低，1V左右，这是基于PN结的（）

试卷相关题目

• 1下列器件中，（）是目前的主导器件。

  A.GTO

  B.GTR

  C.电力MOSFET

  D.IGBT

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• 2下列器件中，（）是通流能力最大的全控型器件.

  A.GTO

  B.GTR

  C.电力MOSFET

  D.IGBT

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• 3下列器件中，（）是开关速度最快的全控型器件，一般几百kHz,有的高达1MHZ.

  A.GTO

  B.GTR

  C.电力MOSFET

  D.IGBT

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• 4下列新型全控器件中，（）是单极型器件。

  A.MCT

  B.SIT

  C.SITH

  D.IGCT

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• 5下列器件中，（）是复合型器件.

  A.品闸管

  B.GTO

  C.电力MOSFET

  D.IGBT

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• 6电力二极管内部PN结的电容效应影响PN结的（）

  A.电导率

  B.工作频率

  C.导通压降

  D.耐压值

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• 7某电力二极管在电路中衢要流过实际电流的有效值为0124那么害民倍裕量，选择额定电流为（）的二极管。

  A.200A

  B.314A

  C.400A

  D.986A

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• 8某电力二极管额定电流为200A,那么考虑2倍裕量，在电路无许长期流过的实际电流的有效值1为（）。

  A.100A

  B.157A

  C.200A

  D.400A

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• 9某电路中需要承受的最高反向峰值乐为200V,考能2倍裕量，选择额定电压U为（）的二极管。

  A.200A

  B.282A

  C.400A

  D.564A

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• 10晶闸管除了可以通过门极电流触发,还有火开几种误导通的情况。其中，利用（）制造的晶闸管可以保证控制电路与主电路之间的良好绝掌而应用手高压电力设备中。

  A.阳极电压升高至相当高的数值造成雪崩效应

  B.阳极电压上升率过高:

  C.结温较高;

  D.光直接照射维片。

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