试卷相关题目
- 1下列电力半导体器件电路符号中，表示IgBT器件电路符号的是（）。
A.
B.
C.
D.
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- 2
双向晶闸管是用于交流电路中的，其外部有（）个电极。
A.一个
B.两个
C.三个
D.四个
开始考试点击查看答案 - 3晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（）来表示的。
A.有效值
B.最大值
C.平均值
D.瞬时值
开始考试点击查看答案 - 4
晶闸管在电路中的门极正向偏压（）越好。
A.越大
B.越小
C.不变
D.越稳定
开始考试点击查看答案 - 5晶闸管内部有（）个PN结。
A.1
B.2
C.3
D.4
开始考试点击查看答案 - 6比较而言，下列半导体器件中开关速度最慢的是（）。
A.IGBT
B.MOSFET
C.GTR
D.GTO
开始考试点击查看答案 - 7比较而言，下列半导体器件中性能最好的是（）。
A.IGBT
B.MOSFET
C.GTR
D.CTO
开始考试点击查看答案 - 8下列电力半导体器件电路符号中，表示MOSFET器件电路符号的是（）。
A.
B.
C.
D.
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- 9单结晶体管振荡电路是利用单结晶体管的（）工作特性设计的。
A.截止区
B.负阻区
C.饱和区
D.任意区域
开始考试点击查看答案 - 10在晶闸管直流电动机调速系统中，改变（）就能改变直流电动机的转速。
A.整流方式
B.晶闸管导通角
C.电源电压
D.电源频率
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