晶闸管除了可以通过门极电流触发,还有以下几种误导通的情况:()。
A.阳极电压升高至相当高的数值造成雪崩效应:
B.阳极电压上升率过高;
C.结温较高:
D.光直接照射硅片.
A.MCT
B.SIT
C.SITH
D.IGCT
开始考试点击查看答案A.晶闸管
B.GTO
C.电力MOSFET
D.IGBT
开始考试点击查看答案A.晶闸管
B.GTO
C.GTR
D.IGBT
开始考试点击查看答案A.晶闸管
B.GTO
C.电力MOSFET
D.IGBT
开始考试点击查看答案A.GTO
B.晶闸管
C.电力MOSFET
D.IGBT
开始考试点击查看答案A.承受正向电压:
B.承受反向电压:
C.阳极有触发电流;
D.门极有触发电流.
开始考试点击查看答案A.GTR
B.双向晶闸管
C.逆导晶闽管
D.GTO
开始考试点击查看答案A.设计器件时使得a2较大,这样晶体管V2控制灵敏:
B.使得导通时的a1+a2更接近于1,为1.05左右:
C.采用多元集成结构:
D.导通时饱和程度比晶闸管饱和程度深。
开始考试点击查看答案目前在电力电子器件制造方面,很多人认为依靠硅器件继续完善和提在电力电子与系统性能的潜力已十分有限。因此,将越来越多的注意力投向()等宽禁带光导体材料
A.碳化硅
B.氮化镓
C.金刚石
D.锗
开始考试点击查看答案基于宽禁带半导体材料(如碳化硅)的电力电子器件与硅器件具有()。
A.耐压高
B.低得多的通态电阻
C.耐受高温
D.热稳定性更好
开始考试点击查看答案长理培训客户端 资讯,试题,视频一手掌握
去 App Store 免费下载 iOS 客户端