试卷相关题目
- 1电力MOSFET是用（）来控制漏极电流的。
A.栅极电压
B.漏极电压
C.源极电压
D.基极电压
开始考试点击查看答案 - 2釆用（）是电力电子装置中最有效.应用最广的一种过电流保护措施。
A.直流断路器
B.交流断路器
C.快速熔断器
D.过电流继电器
开始考试点击查看答案 - 3晶闸管两端并联一个RC电路的作用是（）。
A.降压
B.分流
C.过电流保护
D.过电压保护
开始考试点击查看答案 - 4GTR在应用中必须注意下面（）问题。
A.一次击穿
B.二次击穿
C.临界饱和
D.反向截至
开始考试点击查看答案 - 5某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V，反向重复峰值电压为825V,该晶闸管的额定电压应为（）。
A.750V
B.800V
C.700V
D.850V
开始考试点击查看答案 - 6
为了减少门极损耗，晶闸管正常导通的方法是阳极加正向电压，门极加（）。
A.直流
B.正弦波
C.正脉冲
D.负脉冲
开始考试点击查看答案 - 7要使绝缘栅双极型晶体管导通，应（）。
A.在栅极加正电压
B.在集电极加正电压
C.在栅极加负电压
D.在集电极加负电压
开始考试点击查看答案 - 8IGBT是一个复合型的器件，它是（）。
A.GTR 驱动的 MOSFET
B.MOSFET 驱动的 GTR
C.MOSFET驱动的晶闸管
D.MOSFET 驱动的 GTO
开始考试点击查看答案 - 9晶闸管的临界导通条件为（）
A.
B.
C.
D.
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- 10电导调制效应对半导体器件的影响不包括（)
A.通态压降降低
B.通态损耗下降
C.关断时间延长
D.开关损耗下降
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