A.200V;
B.300V;
C.550V;
D.600V;
A.大小与基极回路的接线方法有关;
B.为击穿电压;
C.取各种接线方式中击穿电压最低值为额定值;.
D.实际应用中,最高工作电压应低于额定值。
开始考试点击查看答案A.将MOSFET与GTR的优点集于一身;
B.双极性器件,导通压降不高;
C.电压型驱动器件,开关频率较高;
D.正反向偏置安全工作区决定了其工作区域;
开始考试点击查看答案A.维持电流;
B.导通电流;
C.擎住电流:
D.额定电流;
开始考试点击查看答案A.任一时刻,负载电压可能是线电压的一半,或者为相电压,或者为零;
B.触发延迟角为30°时,一个晶闸管的导通角为150°,负载电流连续;
C.触发延迟角在30°~60°之间时候,晶闸管因承受反压而关断;
D.触发延迟角为120°时,晶闸管因为其流通电流降低为0而关断;
开始考试点击查看答案A.导通电阻大,耐流水平低
B.单极性器件,开关频率kHz以上;
C.电压型驱动器件,驱动功率大;
D.通态电阻星正温度系数,对器件并联均流有利;
开始考试点击查看答案A.整流:
B.续流;
C.钳位;
D.保护:
开始考试点击查看答案A.最大值;
B.有效值;
C.平均值;
D.瞬时值;
开始考试点击查看答案A.SCR;
B.Power MOSFET;
C.IGBT;
D.GTR:
开始考试点击查看答案A.正确
B.错误
开始考试点击查看答案A.正确
B.错误
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