.在不均匀电场中，直流击穿电压与工频击穿电压的幅值接近相等。（    ）

试卷相关题目

• 1.高电压技术研究的对象主要是电气装置的绝缘、绝缘的测试（或高电压试验）、电力系统的过电压及绝缘配合等。（    ）

  A.正确

  B.错误

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• 2.对SF6气隙，在极不均匀电场，曲率半径小的电极（棒极）为负极时其电晕起始电压与棒极为正极时的相比要低。（    ）

  A.正确

  B.错误

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• 3.（多选题）提高气体间隙击穿电压的措施有（    ）。

  A.改善电场分布，使电场变得均匀（屏蔽、屏障）

  B.采用高气压

  C.采用高真空

  D.采用高绝缘强度的气体

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• 4.在均匀或稍不均匀电场中，空气的击穿场强为（    ）。

  A.10kV/cm

  B.20kV/cm

  C.30kV/cm

  D.40kV/cm

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• 5.SF6气体具有较高绝缘强度的主要原因之一是（    ）。

  A.无色无味性

  B.不燃性

  C.无腐蚀性

  D.电负性

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• 6.电子崩尚未贯穿间隙即形成流注，流注再贯穿气隙的现象称为（    ）。

  A.正流注

  B.小桥放电

  C.负流注

  D.电击穿

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• 7.电子崩先从阴极到阳极，在阳极附近形成正、负带电质点构成的等离子体，然后再从阳极贯穿阴极，整个间隙击穿的现象称为（    ）。

  A.正流注

  B.小桥放电

  C.负流注

  D.电击穿

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• 8.发生击穿后，一旦去掉外加电压，能恢复其绝缘性能的绝缘的绝缘称为（    ）。

  A.自恢复绝缘

  B.液体绝缘

  C.非自恢复绝缘

  D.气体绝缘

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• 9.下列哪个金属的逸出功最高（    ），哪个最低（    ）。

  A.铝

  B.银

  C.铜

  D.氧化铜

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• 10.金属表面游离所需能量可以从多种途径获得，选出其中表述不正确的一项为（    ）

  A.正离子撞击阴极

  B.短波光照射

  C.强场发射

  D.电子崩出现

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