智能变电站中ICD、SCD、CID的产生顺序为（    ）。

试卷相关题目

• 1根据Q／GDW 411—2010，建模时保护SV接收LD的inst名为（    ）。

  A.MUSV

  B.RCD

  C.LD0

  D.RPIT

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• 2根据Q／GDW 396—2009，建模时合并单元LD的inst名为（    ）。

  A.MUSV

  B.RCD

  C.LD0

  D.RPIT

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• 3根据Q／GDW 396—2009，建模时录波LD的inst名为（    ）。

  A.PROT

  B.RCD

  C.LD0

  D.RPIT

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• 4根据Q／GDW 396—2009，建模时智能终端LD的inst名为（    ）。

  A.PROT

  B.CTRL

  C.LD0

  D.RPIT

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• 5根据Q／GDW 396—2009，建模时过程层GOOSE访问点LD的inst名为（    ）。

  A.PROT

  B.CTRL

  C.LD0

  D.PIGO

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• 6建模时保护装置的GOOSE访问点一般为（    ）。

  A.S1

  B.G1

  C.M1

  D.C1

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• 7建模时保护装置的SV访问点一般为（    ）。

  A.S1

  B.G1

  C.M1

  D.C1

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• 8建模时合并单元的SV访问点一般为（    ）。

  A.S1

  B.G1

  C.M1

  D.C1

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• 9建模时保护装置的MMS访问点一般为（    ）。

  A.S1

  B.G1

  C.M1

  D.C1

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• 10IEC 61850-9-2的电压通道采用（    ）位整数。

  A.8

  B.16

  C.32

  D.64

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