A.简称 IPM
B.也称智能 IGBT
C.用于 MOSFET 的集成
A.当漏源极间接正电压,栅极和源极间电压为零时,漏源极之间无电流流过
B.只要在栅极和源极之间加一正电压 UGS,漏极和源极就能导电
C.开关速度快,工作频率高
D.与IGBT比较,电力MOSFET电流容量较小,耐压较低
开始考试点击查看答案A.二次击穿临界线
B.最大集射极间电压
C.最大集电极功耗确定
D.最大集电极电流
开始考试点击查看答案A.线性放大区
B.安全工作区
C.饱和区
D.截止区
开始考试点击查看答案A.处理的主要是功率
B.需要驱动电路
C.有较大的功耗
D.通常工作在开关状态
开始考试点击查看答案A.普通晶闸管
B.逆导晶闸管
C.双向晶闸管
D.可关断晶闸管
开始考试点击查看答案A.GTR
B.IGBT
C.MCT
D.晶闸管
开始考试点击查看答案A.静态特性主要是指其伏安特性
B.电压—电流特性不随温度变化
C.静态特性和动态特性是不一样的特性
D.动态特性反映通态和断态之间转换过程的开关特性
开始考试点击查看答案A.MOSFET的开关速度和其输入电容的充放电有很大关系
B.降低栅极驱动电路的内阻Rs,可以加快开关速度
C.不存在少子储有效应,因而其开通过程非常迅速
D.工作频率是主要电力电子器件中最高的
开始考试点击查看答案A.电力二极管
B.GTR
C.电力MOSFET
D.IGBT
开始考试点击查看答案A.单极型器件
B.双极型器件
C.复合型器件
D.混合型器件
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