单相桥式全控整流电路带电阻负载工作时（          ）。

试卷相关题目

• 1 三相桥式或全控整流电路，同一相所接的两只晶闸管触发脉冲之间的相位差是（      ）。

  A.60º

  B.120º

  C.150º

  D.180º

  开始考试点击查看答案
• 2 三相桥式可控整流电路， 电感性负载，控制角α≤3 0°,每个周期内输出电压的平均值为（      ）。

  A.Ud=0.45U2cosα

  B.Ud=0.9U2cosα

  C.Ud=1.17U2cosα

  D.Ud=2.34U2cosα

  开始考试点击查看答案
• 3 三相桥式全控整流电路，电阻性负载，晶闸管承受的最大反向电压为（      ）。

  A.

  B.

  C.

  D.

  开始考试点击查看答案
• 4 对于三相半波可控整流电路，换相重叠角的影响，将使用输出电压平均值（      ）。

  A.上升

  B.下降

  C.不变

  D.不能确定

  开始考试点击查看答案
• 5 三相半波可控整流电路，阻感负载，晶间管承受的最大正向峰值电压为（      ）。

  A.

  B.

  C.

  D.

  开始考试点击查看答案
• 6三相桥式全控整流电路的特点包括（          ）。

  A.每个时刻均需2个晶闸管同时导通

  B.同一相的两个晶闸管不能同时导通

  C.整流输出电压Ud一周期脉动6次

  D.三相桥式全控整流电路常用的是宽脉冲触发方式

  开始考试点击查看答案
• 7 PN结的结电容按其产生机制和作用的差别，可以分为（          ）。

  A.微分电容

  B.势垒电容

  C.扩散电容

  D.滤波电容

  开始考试点击查看答案
• 8 晶闸管的名称，又可以是（          ）。

  A.晶体闸流管

  B.可控硅整流器

  C.可控硅

  D.电力晶体管

  开始考试点击查看答案
• 9下列说法正确的是：（          ）。

  A.晶闸管开通时间包括延迟时间和上升时间

  B.维持电流IH为擎住电流的IL（2-4）倍

  C.没有门极电流，如果电压上升率过大，也会使晶闸管误导通

  D.晶闸管一旦导通，通过门极可以控制其关断

  开始考试点击查看答案
• 10 关于GTO特性的描述正确的是：（          ）。

  A.PNPN四层半导体结构

  B.比普通晶闸管开通过程更快

  C.导通过程与普通晶闸管完全不同

  D.多元集成结构

  开始考试点击查看答案