A.GTO
B.SCR
C.GTR
D.IGBT
A.没有反向漏电流
B.只有极小的反向漏电流
C.反向漏电源很大
D.由门极电流决定
开始考试点击查看答案A.寄生电感
B.寄生电阻
C.反向漏电流
D.结电容
开始考试点击查看答案A.肖特基二极管
B.整流二极管
C.快恢复二极管
D.续流二极管
开始考试点击查看答案A.导通损耗
B.关断损耗
C.开关损耗
D.局部增加
开始考试点击查看答案A.无源器件体积增大
B.系统效率增加
C.开关损耗降低
D.设备体积减小
开始考试点击查看答案A.阳极电流
B.门极电流
C.阳极电流与门极电流之和
D.阳极电流与门极电流之差
开始考试点击查看答案A.电力晶体管
B.晶闸管
C.电力场效应晶体管
D.绝缘栅双极晶体管
开始考试点击查看答案A.垂直导电结构
B.晶体管模型
C.达林顿结构
D.多元集成
开始考试点击查看答案A.Power MOSFET
B.SCR
C.GTO
D.IGBT
开始考试点击查看答案A.四层三端
B.五层三端
C.三层二端
D.三层三端
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