试卷相关题目
- 1【题目ID:64】.比较而言，下列半导体器件中输入阻抗最大的是（）。
A.IGBT
B.MOSFET
C.GTR
D.GTO
开始考试点击查看答案 - 2【题目ID:63】.三相全控桥整流电路，
为变压器副边相电压有效值，带阻感负载。晶闸管承受的最大正向和最大反向电压均为变压器二次线电压峰值，即
。（）A.正确
B.错误
开始考试点击查看答案 - 3【题目ID:62】.在升压斩波电路中，已知电源电压
= 16V，导通比等于1/3，则负载电压
=()。A.5.3V
B.24 V
C.12V
D.10.7V
开始考试点击查看答案 - 4【题目ID:61】.把直流电变成交流电的过程称为（）。
A.逆变
B.整流
C.斩波
D.变频
开始考试点击查看答案 - 5【题目ID:60】.【多选题】电力MOSFET管的输出特性可分为（）个三个区。
A.线性区
B.非饱和区
C.饱和区
D.截止区
开始考试点击查看答案 - 6【题目ID:66】.单相桥式全控整流电路，带纯电阻负载，变压器副边相电压有效值
=200V，选择晶闸管时，晶闸管额定电压的合适值为（）伏。A.141.4
B.282.8
C.800
D.2000
开始考试点击查看答案 - 7【题目ID:67】.在整流电路中，由于实际变压器绕组漏感的存在，因此换相过程不能瞬间完成。（）
A.正确
B.错误
开始考试点击查看答案 - 8【题目ID:68】.三相全控桥整流装置中一共用了（）晶闸管.
A.三只
B.六只
C.九只
开始考试点击查看答案 - 9【题目ID:69】.智能功率模块IPM往往专指（）及其辅助器件与其保护和驱动电路的封装
A.晶闸管
B.电力MOSFET
C.IGBT
D.GTO
开始考试点击查看答案 - 10【题目ID:70】.单相全桥逆变电路，直流侧电压为
, 180°导电角的控制方式下，输出交流电压基波的幅值为（）。A.1.27
B.Q.9
C.l.1
D.0.78
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