A.设计器件时使得a2较大,这样晶体管V2控制灵敏:
B.使得导通时的a1+a2更接近于1,为1.05左右:
C.采用多元集成结构:
D.导通时饱和程度比晶闸管饱和程度深。
A.正确
B.错误
开始考试点击查看答案A.三相半波可控整流电路
B.三相半控桥整流桥电路
C.单相全控桥接续流二极管电路
D.单相半控桥整流电路
开始考试点击查看答案A.第一象限
B.第二象限C第三象限D.第四象限
开始考试点击查看答案A.带纯电阻负载,触发角小于60°;
B.带纯电阻负载,触发角大于60°;
C.带阻感负载,电感足够大,触发角小于90°;
D.带阻感负载,电感足够大,触发角大于90°
开始考试点击查看答案A.a相换相时刻电压
B.b相换相时刻电压
C.+的一半
D.+
开始考试点击查看答案A.正确
B.错误
开始考试点击查看答案A.晶闸管
B.肖特基二极管
C.电力MOSFET
D.SIT
开始考试点击查看答案A.正确
B.错误
开始考试点击查看答案A.23.4A
B.19.1A
C.13.5A
D.7.8A
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