试卷相关题目
- 1【题目ID:40】.【多选题】电力MOSFET管是（）类型的器件。
A.流控型
B.压控型
C.双极型
D.单极型
开始考试点击查看答案 - 2【题目ID:39】.【多选题】带隔离的全波整流电路的缺点是（）。
A.对器件耐压要求较高
B.变压器二次侧绕组有中心接头，结构较复杂
C.损耗大
D.元件数较多
开始考试点击查看答案 - 3【题目ID:38】.晶闸管可控整流电路中直流端的蓄电池或直流电动机应该属于（）负载
A.电阻性
B.电感性
C.反电动势
D.电容性
开始考试点击查看答案 - 4【题目ID:37】.晶闸管的非正常触发方式有（ ）。
A.阳极电压升高造成雪崩效应
B.门极电流触发
C.光触发
D.结温过高而触发
开始考试点击查看答案 - 5【题目ID:36】.双向晶闸管的额定电流的定义与普通晶闸管不一样，双向晶闸营的额定电流是用电流有效值来表示的。（）
A.正确
B.错误
开始考试点击查看答案 - 6【题目ID:42】.逻辑控制无环流可逆电路的动态性能较差。（）
A.正确
B.错误
开始考试点击查看答案 - 7【题目ID:43】.升降压斩波电路中，
采用脉宽调制控制方式.其输出负载电流平均值为（）。A.6
B.6.67
C.15
D.25
开始考试点击查看答案 - 8【题目ID:44】.电流型并联谐振逆变电路负载两端电压波形是很好的正弦波。（）
A.正确
B.错误
开始考试点击查看答案 - 9【题目ID:45】.【多选题】下列相控整流电路中存在变压器直流磁化问题的是（ ）。
A.单相半波可控整流电路
B.单相桥式全控整流电路
C.三相半波可控整流电路
D.三相桥式全控整流电路
开始考试点击查看答案 - 10【题目ID:46】.IGBT的特点是开关速度较高，开关损耗小，通态压降低.驱动功率小。（）
A.正确
B.错误
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