试卷相关题目
- 1【题目ID:14】.下列新型全控器件中，（）是单极型器件。
A.MCT
B.SIT
C.SITH
D.IGCT
开始考试点击查看答案 - 2【题目ID:13】.取断态重复峰值电压和反向重复峰值电压中较小的一个，并规划为标准电压等级后，定为该晶闸管的（）
A.转折电压
B.反向击穿电压
C.阈值电压
D.额定电压
开始考试点击查看答案 - 3【题目ID:12】.三相桥式全控整流电路，
=100V，带电阻电感负载，R=5Ω,L值极大，当α=60°时，流过晶闸管的电流有效值
和变压器二次电流的有效值
分别为（）。A.10A,20A
B.13.51A,13.5A
C.23.4A,23.4A
D.13.51A,19A
开始考试点击查看答案 - 4【题目ID:11】.单相全波整流电路带阻感负载工作时，L足够大，id波形为正弦波的一部分。
A.正确
B.错误
开始考试点击查看答案 - 5【题目ID:10】.采用晶闸管的交变频电路，此种电路也可以称为周波变流器。（）
A.正确
B.错误
开始考试点击查看答案 - 6【题目ID:16】.在用两组反并联晶闸管的可逆系统，使直流电动机实现四象限运行时，其中一组逆变器工作在整流状态那么另一组就工作在逆变状态。（）
A.正确
B.错误
开始考试点击查看答案 - 7【题目ID:17】.下列电力半导体器件电路符号中，表示MOSFET器件电路符号的是（）。
A.
B.
C.
D.
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- 8【题目ID:18】.交流调压是调节负载电压的（）
A.最大值
B.平均值
C.瞬时值
D.有效值
开始考试点击查看答案 - 9【题目ID:19】.以下是不可控器件的（）。
A.电力二极管
B.晶闸管
C.GTR
D.GTO
开始考试点击查看答案 - 10【题目ID:20】.【多选题】GTO是全控型器件的原因是（）。
A.GTO采用多元集成结构
B.阳极和阴极之间的距离短
C.导通时饱和程度较晶闸管低
D.导通时饱和程度较晶闸管高
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