试卷相关题目
- 1【题目ID:36】.三电平逆变电路每个主开关器件关断时所承受的电压只有直流侧电压的一半。（）
A.正确
B.错误
开始考试点击查看答案 - 2【题目ID:35】.下图所示电路中，开关器件IGBT导通时，下列选项正确的是（）
A.二极管D反偏截止，电源E向电感L充电
B.二极管D导通，电源E和电感L共同向电容C充电，并向负载R提供能量
C.二极管D反偏截止，电源E向电感L充电，电容C上的电压向负载R供电
D.二极管D反偏截止，电容C上的电压向负载R供电
开始考试点击查看答案 - 3【题目ID:34】.下列电力电子器件中，开关频率最高的是（）。
A.SCR
B.GTR
C.Power MOSFET
D.IGBT
开始考试点击查看答案 - 4【题目ID:33】.下列器件中，（）是通流能力最大的全控型器件.
A.GTO
B.GTR
C.电力MOSFET
D.IGBT
开始考试点击查看答案 - 5【题目ID:32】.降压斩波电路，为了使负载电流连续且脉动小，通常在电源端串联一个较大的电感。（）
A.正确
B.错误
开始考试点击查看答案 - 6【题目ID:38】.在电力电子电路中，GTR工作在开关状态，即工作区和区。（）
A.放大区
B.截止区
C.饱和区
D.开关区
开始考试点击查看答案 - 7【题目ID:39】.逆变器是一种将直流电能变换为交流电能的装置（）。
A.正确
B.错误
开始考试点击查看答案 - 8【题目ID:40】.三相全控桥式整流电路共阳极组触发脉冲相位应依次互差（）。
A.60°
B.90°
C.120°
D.180°
开始考试点击查看答案 - 9【题目ID:41】.下面GTR最高电压额定值描述正确的是（）【多选题】
A.大小与基极回路的接线方法有关；
B.为击穿电压；
C.取各种接线方式中击穿电压最低值为额定值；
D.实际应用中，最高工作电压应低于额定值。
开始考试点击查看答案 - 10【题目ID:42】.【多选题】具有四层半导体结构的器件有（）。
A.晶闸管
B.GTO
C.Power MOSFET
D.GTR
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