以下关于局部放电测量的说法错误的是（   ）。

试卷相关题目

• 1当整个绝缘普遍劣化，大面积受潮时，有效的试验判断方法是的（   ）。

  A.测泄漏电流

  B.测直流电阻

  C.测介质损耗因数

  D.测绝缘电阻

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• 2非破坏性试验是（   ）。

  A.直流耐压试验

  B.工频耐压试验

  C.电压分布试验

  D.冲击高压试验

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• 3当整个绝缘全面老化时，有效的试验判断方法是（   ）。

  A.测泄漏电流

  B.测直流电阻

  C.测介质损耗因数

  D.测绝缘电阻

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• 4现场用西林电桥测试设备绝缘的介质损耗因数，出现试验电源与干扰电源不同步、电桥测量无法平衡，应采用的正确方法是（   ）。

  A.桥体加反干扰电源

  B.将试验电源移相或选相、倒相

  C.改用与干扰电源同步的电源作为试验电源

  D.将电桥移位，远离干扰电源

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• 5主要检测绝缘除电气强度外的其他电气性能，在较低电压下或者其他不损伤绝缘方法的试验是（   ）。

  A.破坏性试验

  B.非破坏性试验

  C.耐压试验

  D.击穿试验

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• 6测量绝缘电阻和测量泄漏电流最主要的区别是（   ）。

  A.试验原理不同

  B.加压时间不同

  C.电压大小不同

  D.试验设备不同

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• 7唯一能够直接测量高达数兆伏的各类高压峰值的测量装置是（   ）。

  A.球隙

  B.电容分压器配用低压仪表

  C.静电电压表

  D.高阻值电阻串联微安表

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• 8当整个绝缘全面老化时，有效地实验判断方法是（   ）。

  A.测泄漏电流

  B.测直流电阻

  C.测介质损耗因数

  D.测绝缘电阻

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• 9以下关于电介质损耗角正切值tanδ说法错误的是（   ）。

  A.如果绝缘内部的缺陷不是分布性而是集中性的，则用测tanδ反应不灵敏。

  B.测量tanδ能有效发现绝缘能反映绝缘的整体性缺陷（全面老化），小容量试品中的严重局部缺陷。

  C.tanδ随电压的变化曲线可判断绝缘是否受潮，含有气泡及老化程度。

  D.西林电桥反接法一般应用于实验室内的测试材料及小设备，实现样品的对地绝缘。

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• 10能有效判别设备绝缘中的集中性缺陷的试验方法是（   ）。

  A.测量tanδ

  B.测量吸收比

  C.测量泄漏电流

  D.测量绝缘电阻

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