MOSFET 的漏极伏安特性中的截止区与GTR 共发射极接法时的输出特性中的()区域有对应关系。  

试卷相关题目

• 1电力MOSFET 在导通时，参与导电的是(  )。

  A.少数载流子

  B.多数载流子

  C.空间电荷

  D.原子核

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• 2电力二级管的内电场是由(    )建立的。

  A.外加电源

  B.交变电磁场

  C.载流子

  D.空间电荷

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• 3现测得某支路中电流的有效值为157A,  则该支路中应接入额定电流为(  )的晶闸管。 (选型时考虑裕量为1.5倍)

  A.50A

  B.100A

  C.150A

  D.200A

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• 4普通晶闸管的通态电流(额定电流)是用电流的(   )来表示的。

  A.有效值

  B.最大值

  C.平均值

  D.峰值

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• 5普通晶闸管内部有(    ) PN 结。

  A.一个

  B.二个

  C.三个

  D.四个

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• 6下面器件中定性分析，耐压耐流水平最高的是(  )。

  A.SCR

  B.Power MOSFET

  C.IGBT

  D.GTR

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• 7下面器件中定性分析，导通管压降最高的是(    )。

  A.Power Diode

  B.Power MOSFET

  C.IGBT

  D.GTR

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• 8恢复时间最短的是(  )。

  A.普通二极管

  B.快恢复二极管

  C.肖特基二极管

  D.整流二极管

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• 9某电力电子器件生产厂家在出厂测试时，测得晶闸管的 UDRM 为805V,  URRM为912V, 则标定此晶闸管的额定电压为(  )。

  A.800V

  B.805V

  C.900V

  D.912V

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• 10某晶闸管的正向阻断重复峰值电压745V,反向重复峰值电压为825V,   则该晶闸管的额定电压 ( ) 。

  A.700V

  B.750V

  C.800V

  D.850V

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