将一个晶闸管反并联一个二极管制作在同一管芯上的功率集成器件叫做(    )。

试卷相关题目

• 1门极可关断晶闸管属于全控型器件，正确两关断方法是(    )。

  A.在门极施加负的脉冲电流

  B.在门极施加负的脉冲电压

  C.在门极施加正的脉冲电流

  D.在门极施加正的脉冲电压

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• 2晶闸管是晶体闸流管的简称，又叫作(   )。

  A.可控硅整流器

  B.三极管

  C.稳压管

  D.二极管

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• 3IGBT 属于(         )控制型元件。

  A.电流

  B.电压

  C.电阻]

  D.频率

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• 4功率晶体管GTR 从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为(    )。

  A.一次击穿

  B.二次击穿 C临界饱和 D.反向截止

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• 5取断态重复峰值电压和反向重复峰值电压中较小的一个，并规化为标准电压等级后，定为该晶闸管的(    )。

  A.转折电压

  B.反向击穿电压

  C.阈值电压

  D.额定电压

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• 6有时晶闸管触发导通后，触发脉冲撤掉后，它又关断了，原因是(    )。

  A.晶闸管的阳极电流没有达到擎住电流，触发脉冲就撤掉了

  B.晶闸管的阳极电流没有达到维护电流，触发脉冲就撤掉了

  C.晶闸管的阳极电流没有达到额定电流，触发脉冲就撤掉了

  D.晶闸管的门极电流没有达到擎住电流，触发脉冲就撤掉了

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• 7电力二极管实际上是由一个面积较大的PN结和两端引线以及封装组成的，由N端引出来的电极称为(    )。

  A.阴极

  B.阳极

  C.门极

  D.基极

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• 8电力晶体管的β值比处理信息用的小功率晶体管小得多，通常为(    ) 左右 。

  A.5

  B.10

  C.20

  D.50

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• 9电力电子器件的损耗中(  )

  A.开关频率较低时通态损耗最大

  B.开关频率较高时通态损耗最大

  C.开关频率较高时开关损耗会超过通态损耗

  D.通态损耗小于断态损耗

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• 10下面关于PN 结的描述正确的是(  )。

  A.P型半导体多子是空穴，N 型半导体多子是电子

  B.PN 结内部存在一个空间电荷区，建立了一个内电场

  C.电力电子器件开关频率与PN 结的电容效应没有关系

  D.PN单向导电性是由于多子扩散占优，在外电路形成大电流而呈低阻导通态

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