在赤道处，将一小球向东水平抛出，落地点为 A；给小球带上电荷后，仍以原来的速度抛出，考虑地磁场的影响，下列说法正确的是(  )

试卷相关题目

• 1有一匀强电场，其场强为E，方向水平向右，把一个半径为r的光滑绝缘环，竖直放置于场中，环面平行于电场线，环的顶点A穿有一个质量为m，电量为q(q>0)的空心小球，如图所示，当小球由静止开始从A点下滑1/4圆周到B点时，小球对环的压力大小为（    ）

  A.2mg

  B.qE

  C.2mg+qE

  D.2mg+3qE

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• 2如图所示，在真空中一条竖直向下的电场线上有b两点．一带电质点在a处由静止释放后沿电场线向上运动，到达b点时速度恰好为零．则下面说法正确的是 (  )

  A.该带电质点一定带正电荷

  B.a点的电场强度大于b点的电场强度、

  C.a点的电场强度小于b点的电场强度

  D.质点在b点所受到的合力一定为零

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• 3设空间存在竖直向下的匀强电场和垂直纸面向里的匀强磁场，如图6所示，已知一离子在电场力和洛仑兹力的作用下，从静止开始自A点沿曲线ACB运动，到达B点时速度为零，C点是运动的最低点，忽略重力，以下说法中不正确的是（    ）   

  A.这离子必带正电荷

  B.A点和B点位于同一高度

  C.离子在C点时速度最大

  D.离子到达B点后，将沿原曲线返回A点

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• 4如图所示，铜质导电板置于匀强磁场中，通电时铜板中电流方向向上。由于磁场的作用，则（    ）

  A.板左侧聚集较多电子

  B.板右侧聚集较多电子

  C.a点电势高于b点电势

  D.b点电势高于a点电势

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• 5如图9所示，光滑的“∏”形金属导体框竖直放置，质量为m的金属棒MN与框架接触良好．磁感应强度分别为B 1、B 2的有界匀强磁场方向相反，但均垂直于框架平面，分别处在abcd和cdef区域．现从图示位置由静止释放金属棒MN，当金属棒进入磁场B 1区域后，恰好做匀速运动．以下说法中正确的有(  )

  A.若B2＝B1，金属棒进入B2区域后将加速下滑

  B.若B2＝B1，金属棒进入B2区域后仍将保持匀速下滑

  C.若B2

  D.若B2>B1，金属棒进入B2区域后可能先减速后匀速下滑

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• 6如图10所示，固定放置在同一水平面内的两根平行长直金属导轨的间距为d，其右端接有阻值为R的电阻，整个装置处在竖直向上的磁感应强度大小为B的匀强磁场中．一质量为m(质量分布均匀)的导体杆ab垂直于导轨放置，且与两导轨保持良好接触，杆与导轨之间的动摩擦因数为μ.当杆在水平向左、垂直于杆的恒力F作用下从静止开始沿导轨运动距离l时，速度恰好达到最大(运动过程中杆始终与导轨保持垂直)．设杆接入电路的电阻为r，导轨电阻不计，重力加速度大小为g.则此过程 (  )

  A.杆的速度最大值为

  B.流过电阻R的电荷量为

  C.恒力F做的功与摩擦力做的功之和等于杆动能的变化量

  D.恒力F做的功与安培力做的功之和大于杆动能的变化量

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• 7如图所示，在竖直平面内有水平向右的匀强电场，同一竖直平面内水平拉直的绝缘细线一端系一带正电的小球，另一端固定于O点，已知带电小球受到的电场力大于重力，小球由静止释放，到达图中竖直虚线前小球做（ ）

  A.平抛运动

  B.圆周运动

  C.匀加速直线运动

  D.匀变速曲线运动

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• 8如图，光滑斜面的倾角为 ，斜面上放置一矩形导体线框 ， 边的边长为 ，

  A.线框进入磁场前运动的加速度为

  B.线框进入磁场时匀速运动的速度为

  C.线框做匀速运动的总时间为

  D.该匀速运动过程产生的焦耳热为

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• 9一质子以速度V穿过互相垂直的电场和磁场区域而没有发生偏转，则（    ）

  A.若电子以相同速度V射入该区域，将会发生偏转

  B.无论何种带电粒子，只要以相同速度射入都不会发生偏转

  C.若质子的速度V’

  D.若质子的速度V’>V，它将向上偏转，其运动轨迹既不是圆弧也不是抛物线。

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• 10霍尔效应广泛应用于半导体材料的测试和研究中，例如应用霍尔效应测试半导体是电子型还是空穴型，研究半导体内载流子浓度的变化等。在霍尔效应实验中，如图所示， 宽为 cm， 长为4cm，

  B.在导体的上表面聚集自由电子，电子定向移动的速率

  C.在其它条件不变的情况下，增大的长度，可增大霍尔电压

  D.每立方米的自由电子数为个

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