A.低,原因是崩头电子被正极性棒吸收, 有利于电子崩的发展
B.低,原因是崩头电子被正极性棒吸收, 有利于流柱的发展
C.高,原因是崩头电子被正极性棒吸收, 有利于电子崩的发展
D.高,原因是崩头电子被正极性棒吸收, 有利于流柱的发展
A.短气隙
B.低气压 A.长气隙 B.高气压
开始考试点击查看答案A..无关
B.有很大关系
C.是具体情况定
D.相同
开始考试点击查看答案A.有关
B.无关
C.视具体情况定
D.可能有关
开始考试点击查看答案A.流注
B.离子崩
C.中子崩
D.导电道
开始考试点击查看答案A.水分
B.杂质
C.气泡
D.水珠
开始考试点击查看答案A..1.6us 和 50us
B.1.2us 和 52us
C.1.2us 和 50us
D.2.6us 和 50us
开始考试点击查看答案A.工频电压
B.直流电压
C.雷电冲击电压
D.操作冲击电压
开始考试点击查看答案A.沿面滑闪
B.沿面闪络
C.接地
D.短路
开始考试点击查看答案A.电压
B.温度
C.含水量
D.含气量
E.杂质的影响
开始考试点击查看答案A.绝缘电阻
B.介质损耗角正切
C.工频高压试验
D.冲击高电压试验
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