如图所示，真空中存在着竖直向上的匀强电场和垂直纸面向外的匀强磁场，一带电液滴从静止开始自 a沿曲线 acb运动到 b点时，速度为零， c是轨迹的最低点。以下说法中正确的是 (  )

试卷相关题目

• 1霍尔效应广泛应用于半导体材料的测试和研究中，例如应用霍尔效应测试半导体是电子型还是空穴型，研究半导体内载流子浓度的变化等。在霍尔效应实验中，如图所示， 宽为 cm， 长为4cm，

  B.在导体的上表面聚集自由电子，电子定向移动的速率

  C.在其它条件不变的情况下，增大的长度，可增大霍尔电压

  D.每立方米的自由电子数为个

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• 2一质子以速度V穿过互相垂直的电场和磁场区域而没有发生偏转，则（    ）

  A.若电子以相同速度V射入该区域，将会发生偏转

  B.无论何种带电粒子，只要以相同速度射入都不会发生偏转

  C.若质子的速度V’

  D.若质子的速度V’>V，它将向上偏转，其运动轨迹既不是圆弧也不是抛物线。

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• 3如图，光滑斜面的倾角为 ，斜面上放置一矩形导体线框 ， 边的边长为 ，

  A.线框进入磁场前运动的加速度为

  B.线框进入磁场时匀速运动的速度为

  C.线框做匀速运动的总时间为

  D.该匀速运动过程产生的焦耳热为

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• 4如图所示，在竖直平面内有水平向右的匀强电场，同一竖直平面内水平拉直的绝缘细线一端系一带正电的小球，另一端固定于O点，已知带电小球受到的电场力大于重力，小球由静止释放，到达图中竖直虚线前小球做（ ）

  A.平抛运动

  B.圆周运动

  C.匀加速直线运动

  D.匀变速曲线运动

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• 5如图10所示，固定放置在同一水平面内的两根平行长直金属导轨的间距为d，其右端接有阻值为R的电阻，整个装置处在竖直向上的磁感应强度大小为B的匀强磁场中．一质量为m(质量分布均匀)的导体杆ab垂直于导轨放置，且与两导轨保持良好接触，杆与导轨之间的动摩擦因数为μ.当杆在水平向左、垂直于杆的恒力F作用下从静止开始沿导轨运动距离l时，速度恰好达到最大(运动过程中杆始终与导轨保持垂直)．设杆接入电路的电阻为r，导轨电阻不计，重力加速度大小为g.则此过程 (  )

  A.杆的速度最大值为

  B.流过电阻R的电荷量为

  C.恒力F做的功与摩擦力做的功之和等于杆动能的变化量

  D.恒力F做的功与安培力做的功之和大于杆动能的变化量

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• 6一带电质点从图中的A点竖直向上以速度v 0射入一水平方向的匀强电场中，质点运动到B点时，速度方向变为水平，已知质点质量为m，带电荷量为q，

  A.B间距离为L，且AB连线与水平方向成θ＝37°角，质点到达B后继续运动可到达与A点在同一水平面上的C点(未画出)，则( ) A.质点在B点的速度大小为 v 0

  B.匀强电场的电场强度大小为

  C.从A到C的过程中，带电质点的电势能减小了 mv

  D.质点在C点的加速度大小为 g

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• 7如图6所示，闭合导线框的质量可以忽略不计，将它从如图所示位置匀速向右拉出匀强磁场．若第一次用0.3 s拉出，外力所做的功为W 1，通过导线横截面的电荷量为q 1；第二次用0.9 s拉出，外力所做的功为W 2，通过导线横截面的电荷量为q 2，则(  )

  A.W1＜W2，q1＜q2

  B.W1＜W2，q1＝q2

  C.W1＞W2，q1＝q2

  D.W1＞W2，q1＞q2

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• 8在如图所示的空间中,存在场强为E的匀强电场,同时存在沿x轴负方向?磁感应强度为B的匀强磁场,一质子(电荷量为e)在该空间恰沿y轴正方向以速度v匀速运动.据此可以判断出（    ）

  A.质子所受电场力大小等于eE,运动中电势能减小;沿z轴正方向电势升高

  B.质子所受电场力大小等于eE,运动中电势能增大;沿z轴正方向电势降低

  C.质子所受电场力大小等于evB,运动中电势能不变;沿z轴正方向电势升高

  D.质子所受电场力大小等于evB,运动中电势能不变;沿z轴正方向电势降低

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• 9在如图8－3－15所示的匀强电场和匀强磁场共存的区域内忽略重力，电子可能沿水平方向向右做直线运动的是(  )

  A.图A

  B.图B

  C.图C

  D.图D

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• 10如图所示,一束质量、速度和电荷量不同的正离子垂直地射入匀强磁场和 匀强电场正交的区域里,结果发现有些离子保持原来的运动方向,有些未发生任何偏转.如果让这些不偏转的离子进入另一匀强磁场中,发现这些离子又分裂成几束,对这些进入另一磁场的离子,可得出结论（  ）

  A.它们的动能一定各不相同

  B.它们的电荷量一定各不相同

  C.它们的质量一定各不相同

  D.它们的电荷量与质量之比一定各不相同

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