A.MOSFET的开关速度和其输入电容的充放电有很大关系 A.降低栅极驱动电路的内阻,可以加快开关速度
B.不存在少子储有效应,因而其开通过程非常迅速
C.工作频率是主要电力电子器件中最高的
A.静态特性主要是指其伏安特性
B.电压—电流特性不随温度变化
C.静态特性和动态特性是不一样的特性
D.动态特性反映通态和断态之间转换过程的开关特性
开始考试点击查看答案A.GTR
B.IGBT
C.MCT
D.晶闸管
开始考试点击查看答案A.简称 IPM
B.也称智能 IGBT
C.用于 MOSFET 的集成
开始考试点击查看答案A.当漏源极间接正电压,栅极和源极间电压为零时,漏源极之间无电流流过
B.只要在栅极和源极之间加一正电压 UGS,漏极和源极就能导电
C.开关速度快,工作频率高
D.与IGBT比较,电力MOSFET电流容量较小,耐压较低
开始考试点击查看答案A.二次击穿临界线
B.最大集射极间电压
C.最大集电极功耗确定
D.最大集电极电流
开始考试点击查看答案A.电力二极管
B.GTR
C.电力MOSFET
D.IGBT
开始考试点击查看答案A.单极型器件
B.双极型器件
C.复合型器件
D.混合型器件
开始考试点击查看答案A.电力二极管正向平均电流是按照电流的发热效应来定义的
B.电力二极管按有效值相等的原则来选取电流定额
C.普通二极管又称整流二极管
D.肖特基二极管属于少子器件
开始考试点击查看答案A.正确
B.错误
开始考试点击查看答案A.正确
B.错误
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