晶闸管的名称，又可以是(  )。

试卷相关题目

• 1PN结的结电容按其产生机制和作用的差别，可以分为(  )。

  A.微分电容

  B.势垒电容

  C.扩散电容

  D.滤波电容

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• 2三相桥式全控整流电路的特点包括（  )。

  A.每个时刻均需2个晶闸管同时导通

  B.同一相的两个晶闸管不能同时导通

  C.整流输出电压Ud一周期脉动6次

  D.三相桥式全控整流电路常用的是宽脉冲触发方式

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• 3单相桥式全控整流电路带电阻负载工作时（ )。

  A.晶闸管承受的最大正向电压为

  B.晶闸管承受的最大反向电压分别为和

  C.晶闸管α角的移相范围为180°

  D.晶闸管α角的移相范围为 90°

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• 4三相桥式或全控整流电路，同一相所接的两只晶闸管触发脉冲之间的相位差是( D )。

  A.60º

  B.120º

  C.150º

  D.180º

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• 5三相桥式可控整流电路， 电感性负载，控制角α≤3 0°,每个周期内输出电压的平均值为(    )。

  A.Ud=0.45U2cosα

  B.Ud=0.9U2cosα

  C.Ud=1.17U2cosα

  D.Ud=2.34U2cosα

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• 6下列说法正确的是：（  )。

  A.晶闸管开通时间包括延迟时间和上升时间

  B.维持电流IH为擎住电流的IL（2-4）倍

  C.没有门极电流，如果电压上升率过大，也会使晶闸管误导通

  D.晶闸管一旦导通，通过门极可以控制其关断

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• 7关于GTO特性的描述正确的是：（ ）。

  A.PNPN四层半导体结构

  B.比普通晶闸管开通过程更快

  C.导通过程与普通晶闸管完全不同

  D.多元集成结构

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• 8 GTR的安全工作区不能超过（  ）。

  A.最高电压Ucem

  B.集电极最大电流 Icm

  C.最大耗散功率 Pcm

  D.一次击穿临界线

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• 9除了常用的电力电子器件，其他新型电力电子器件主要包括（  )。

  A.MOS控制晶闸管 MCT

  B.静电感应晶体管SIT

  C.静电感应晶闸管 SITH

  D.集成门极换流晶闸管IGCT

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• 10以下器件中属于电流驱动器件的是（ ） 。  

  A.GTO

  B.GTR

  C.MOSFET

  D.IGBT

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