试卷相关题目
- 1为了减少门极损耗，晶闸管正常导通的方法是阳极加正向电压，门极加（）。
A.直流
B.正弦波
C.正脉冲
D.负-脉冲
开始考试点击查看答案 - 2下列不是晶闸管的主要参数的选项是（）。
A.额定电压
B.额定电流
C.维持电流
D.静态参数
开始考试点击查看答案 - 3电力MOSFET是用（）来控制漏极电流的。
A.栅极电压
B.漏极电压
C.源极电压
D.基极电压
开始考试点击查看答案 - 4釆用（）是电力电子装置中最有效.应用最广的一种过电流保护措施。
A.直流断路器
B.交流断路器
C.快速熔断器
D.过电流继电器
开始考试点击查看答案 - 5晶闸管两端并联一个RC电路的作用是（）。
A.降压
B.分流
C.过电流保护
D.过电压保护
开始考试点击查看答案 - 6IGBT是一个复合型的器件，它是（）。
A.GTR 驱动的 MOSFET
B.MOSFET 驱动的 GTR
C.MOSFET驱动的晶闸管
D.MOSFET 驱动的 GTO
开始考试点击查看答案 - 7晶闸管的临界导通条件为（）
A.
B.
C.
D.
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- 8电导调制效应对半导体器件的影响不包括（)
A.通态压降降低
B.通态损耗下降
C.关断时间延长
D.开关损耗下降
开始考试点击查看答案 - 9维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于（）
A.维持电流
B.擎住电流
C.额定电流
D.关断电流
开始考试点击查看答案 - 10下列器件中，没有电导调制效应的器件为（）
A.IGBT
B.GTR
C.GT0
D.电力 M0SFET
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