A.较高的阳极电压
B.较大的阳极电压变化率
C.较高的结温
D.光直接照射硅片
A.反向恢复时间短
B.正向压降较小
C.效率较高
D.反向漏电流较大
开始考试点击查看答案A.晶闸管
B.电力二极管
C.IGBT
D.电力场效应管
开始考试点击查看答案A.半控器件
B.全控器件
C.不可控器件
D.复合型器件
开始考试点击查看答案A.开关频率
B.输出信号波频率
C.调制信号波频率
D.一个周期内的PWM脉冲数
开始考试点击查看答案A.
B.
C.
D.
开始考试点击查看答案A.由一对反并联联结的普通晶闸管构成
B.正向压降小
C.额定结温高
D.高温特性好
开始考试点击查看答案A.使晶闸管维持导通所必需的最小电流
B.如果阳极电流降至维持电流以下,则晶闸管进入正向阻断S
C.维持晶闸管反向阻断的电流
D.是通态平均电流
开始考试点击查看答案A.线性区
B.非饱和区
C.饱和区
D.截止区
开始考试点击查看答案A.GTO
B.GTR
C.MOSFET
D.IGBT
开始考试点击查看答案A.放大区
B.饱和区
C.有源区
D.正向阻断区
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