IGBT可以视为（ ） 和（省）按照达林顿结构组合而成的复合体。

试卷相关题目

• 1晶闸管的非正常触发方式有（ ）。

  A.阳极电压升高造成雪崩效应

  B.门极电流触发

  C.光触发

  D.结温过高而触发

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• 2下列哪些电力电子器件是少子器件? （ ）

  A.肖特基二极管

  B.晶闸管

  C.电力晶体管

  D.绝缘栅型电力场效应晶体管

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• 3下列哪些电力电子器件是电平控制型的? （ ）

  A.SCR

  B.GTR

  C.Power MOSFET

  D.IGBT

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• 4下列哪些电力电子器件是电压驱动型的? （ ）

  A.SCR

  B.GTR

  C.Power MOSFET

  D.IGBT

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• 5下列哪些电力电子器件是电流驱动型的? （ ）。

  A.GTO

  B.GTR

  C.Power MOSFET

  D.IGBT

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• 6下列相控整流电路中心存在变压器直流磁化问题的是（ ）。

  A.单相半波可控整流电路

  B.单相桥式全控整流电路

  C.三相半波可控整流电路

  D.三相桥式全控整流电路

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• 7下列电力电子器件属于全控型器件的是（）。

  A.SCR

  B.GTO

  C.MOSFET

  D.IGBT

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• 8GBT是（）和（）的复合管。

  A.GTO

  B.GTR

  C.MOSFET

  D.SCR

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• 9按照控制端和公共端之间信号的波形，可以将电力电子器件分为（ ）。

  A.电流触发型

  B.电压触发型

  C.电平控制型

  D.脉冲触发型

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• 10下列电路中，不存在变压器直流磁化问题的有（ ）。

  A.单相全控桥整流电路

  B.单相全波可控整流电路

  C.三相全控桥整流电路

  D.三相半波可控整流电路

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