A.设计器件时使得a2较大,这样晶体管V2控制灵敏:
B.使得导通时的a1+a2更接近于1,为1.05左右:
C.采用多元集成结构:
D.导通时饱和程度比晶闸管饱和程度深。
A.GTR
B.双向晶闸管
C.逆导晶闽管
D.GTO
开始考试点击查看答案A.承受正向电压:
B.承受反向电压:
C.阳极有触发电流;
D.门极有触发电流.
开始考试点击查看答案A.阳极电压升高至相当高的数值造成雪崩效应:
B.阳极电压上升率过高;
C.结温较高:
D.光直接照射硅片.
开始考试点击查看答案A.MCT
B.SIT
C.SITH
D.IGCT
开始考试点击查看答案A.晶闸管
B.GTO
C.电力MOSFET
D.IGBT
开始考试点击查看答案A.磯化硅
B.氮化镓
C.金刚石
D.锗
开始考试点击查看答案基于宽禁带半导体材料(如碳化硅)的电力电子器件与硅器件相比,具有()。
A.耐压高
B.低得多的通态电阻
C.酣受高温
D.热稳定性更好
开始考试点击查看答案A.体积增大
B.使用更为方便
C.可靠性提高
D.实现了电能和信息的集成
开始考试点击查看答案A.工作频率低
B.驱动功率小
C.驱动电路简单
D.工作频事高
开始考试点击查看答案A.晶闸管
B.肖特基二极管
C.电力MOSFET
D.SIT
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