桥梁施工方法工艺流程
桥梁施工方法工艺流程
来源:考试大2010年2月9日【考试大:中国教育考试第一门户】
1、从工业化发展来看,重心已由单晶向多晶方向发展,主要原因为:
[2]对太阳电池来讲,方形基片更合算,通过浇铸法和直接凝固法所获得的多晶硅可直接获得方形材料;
[4]由于近十年单晶硅工艺的研究与发展很快,其中工艺也被应用于多晶硅电池的生产,例如选择腐蚀发射结、背表面场、腐蚀绒面、表面和体钝化、细金属栅电极,采用丝网印刷技术可使栅电极的宽度降低到50微米,高度达到15微米以上,快速热退火技术用于多晶硅的生产可大大缩短工艺时间,单片热工序时间可在一分钟之内完成,采用该工艺在100平方厘米的多晶硅片上作出的电池转换效率超过14%。据报道,目前在50~60微米多晶硅衬底上制作的电池效率超过16%。利用机械刻槽、丝网印刷技术在100平方厘米多晶上效率超过17%,无机械刻槽在同样面积上效率达到16%,采用埋栅结构,机械刻槽在130平方厘米的多晶上电池效率达到15.8%。
2.1实验室高效电池工艺考试大-全国最大教育类网站
1关于光的吸收
(1)降低表面反射;
(3)采用背面反射。
[1]激光刻槽
[2]化学刻槽www.Examda.CoM考试就到考试大
[3]反应离子腐蚀(RIE)
[4]制作减反射膜层www.Examda.CoM考试就到考试大
2.2金属化技术
[1]电子束蒸发和电镀考试大论坛
2.3PN结的形成技术
对于高效太阳能电池,发射区的形成一般采用选择扩散,在金属电极下方形成重杂质区域而在电极间实现浅浓度扩散,发射区的浅浓度扩散即增强了电池对蓝光的响应,又使硅表面易于钝化。扩散的方法有两步扩散工艺、扩散加腐蚀工艺和掩埋扩散工艺。目前采用选择扩散,15×15cm2电池转换效率达到16.4%,n++、n+区域的表面方块电阻分别为20Ω和80Ω。
[2]背表面场的形成及铝吸杂技术来源:www.examda.com
[3]双面Mc—Si电池来源:www.examda.com
2.4表面和体钝化技术来源:www.examda.com
3工业化电池工艺来源:考试大
[1]电池的制作工艺能够满足流水线作业;
[3]达到高效、低成本。考试大论坛
(1)丝网印刷及其相关技术
a.发射区的形成来源:考试大的美女编辑们
b.选择发射区工艺
c.背表面场的形成来源:www.examda.com
d.丝网印刷金属电极
ⅰ)如栅线宽度较大,通常大于150微米;
ⅲ)不适合表面钝化,主要是表面扩散浓度较高,否则接触电阻较大。目前用先进的方法可丝网印出线宽达50微米的栅线,厚度超过15微米,方块电阻为2.5~4mΩ,该参数可满足高效电池的要求。有人在15×15平方厘米的Mc—Si上对丝网印刷电极和蒸发电极所作太阳电池进行了比较,各项参数几乎没有差距。
多晶硅电池的制作工艺不断向前发展,保证了电池的效率不断提高,成本下降,随着对材料、器件物理、光学特性认识的加深,导致电池的结构更趋合理,实验室水平和工业化大生产的距离不断缩小。丝网印刷和埋栅工艺为高效、低成本电池发挥了主要作用,高效Mc—Si电池组件已大量进入市场,目前的研究正致力于新性薄膜结构、廉价衬底上的电池等,面对用户,我们需要作的工作是实现更大批量的、低成本的生产,愿我们更加努力实现这一目标。本文来源:考试大网 来源:考试大-结构工程师考试
1、从工业化发展来看,重心已由单晶向多晶方向发展,主要原因为:
[2]对太阳电池来讲,方形基片更合算,通过浇铸法和直接凝固法所获得的多晶硅可直接获得方形材料;
[4]由于近十年单晶硅工艺的研究与发展很快,其中工艺也被应用于多晶硅电池的生产,例如选择腐蚀发射结、背表面场、腐蚀绒面、表面和体钝化、细金属栅电极,采用丝网印刷技术可使栅电极的宽度降低到50微米,高度达到15微米以上,快速热退火技术用于多晶硅的生产可大大缩短工艺时间,单片热工序时间可在一分钟之内完成,采用该工艺在100平方厘米的多晶硅片上作出的电池转换效率超过14%。据报道,目前在50~60微米多晶硅衬底上制作的电池效率超过16%。利用机械刻槽、丝网印刷技术在100平方厘米多晶上效率超过17%,无机械刻槽在同样面积上效率达到16%,采用埋栅结构,机械刻槽在130平方厘米的多晶上电池效率达到15.8%。
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1关于光的吸收
(1)降低表面反射;
(3)采用背面反射。
[1]激光刻槽
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[3]反应离子腐蚀(RIE)
[4]制作减反射膜层www.Examda.CoM考试就到考试大
2.2金属化技术
[1]电子束蒸发和电镀考试大论坛
2.3PN结的形成技术
对于高效太阳能电池,发射区的形成一般采用选择扩散,在金属电极下方形成重杂质区域而在电极间实现浅浓度扩散,发射区的浅浓度扩散即增强了电池对蓝光的响应,又使硅表面易于钝化。扩散的方法有两步扩散工艺、扩散加腐蚀工艺和掩埋扩散工艺。目前采用选择扩散,15×15cm2电池转换效率达到16.4%,n++、n+区域的表面方块电阻分别为20Ω和80Ω。
[2]背表面场的形成及铝吸杂技术来源:www.examda.com
[3]双面Mc—Si电池来源:www.examda.com
2.4表面和体钝化技术来源:www.examda.com
3工业化电池工艺来源:考试大
[1]电池的制作工艺能够满足流水线作业;
[3]达到高效、低成本。考试大论坛
(1)丝网印刷及其相关技术
a.发射区的形成来源:考试大的美女编辑们
b.选择发射区工艺
c.背表面场的形成来源:www.examda.com
d.丝网印刷金属电极
ⅰ)如栅线宽度较大,通常大于150微米;
ⅲ)不适合表面钝化,主要是表面扩散浓度较高,否则接触电阻较大。目前用先进的方法可丝网印出线宽达50微米的栅线,厚度超过15微米,方块电阻为2.5~4mΩ,该参数可满足高效电池的要求。有人在15×15平方厘米的Mc—Si上对丝网印刷电极和蒸发电极所作太阳电池进行了比较,各项参数几乎没有差距。
多晶硅电池的制作工艺不断向前发展,保证了电池的效率不断提高,成本下降,随着对材料、器件物理、光学特性认识的加深,导致电池的结构更趋合理,实验室水平和工业化大生产的距离不断缩小。丝网印刷和埋栅工艺为高效、低成本电池发挥了主要作用,高效Mc—Si电池组件已大量进入市场,目前的研究正致力于新性薄膜结构、廉价衬底上的电池等,面对用户,我们需要作的工作是实现更大批量的、低成本的生产,愿我们更加努力实现这一目标。本文来源:考试大网 来源:考试大-结构工程师考试
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