试卷相关题目
- 1下列器件中，没有电导调制效应的器件为（）
A.IGBT
B.GTR
C.GT0
D.电力 M0SFET
开始考试点击查看答案 - 2维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于（）
A.维持电流
B.擎住电流
C.额定电流
D.关断电流
开始考试点击查看答案 - 3电导调制效应对半导体器件的影响不包括（)
A.通态压降降低
B.通态损耗下降
C.关断时间延长
D.开关损耗下降
开始考试点击查看答案 - 4晶闸管的临界导通条件为（）
A.
B.
C.
D.
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- 5IGBT是一个复合型的器件，它是（）。
A.GTR 驱动的 MOSFET
B.MOSFET 驱动的 GTR
C.MOSFET驱动的晶闸管
D.MOSFET 驱动的 GTO
开始考试点击查看答案 - 6工频正弦半波电流的波形系数为（）
A.0.45
B.0.9
C.1.57
D.11
开始考试点击查看答案 - 7关于MOSFET的开关速度，表述正确的是（）。
A.MOSFET不存在少子储存效应，开通关断过程非常迅速
B.MOSFE是场控器件，静态时几乎不需输入电流，开通关断过程时间长
C.MOSFET是场控器件，静态时需输入大电流，开通关断过程时间长
D.MOSFE是场控型和双极型器件，开关速度快
开始考试点击查看答案 - 8下列哪些电路属于电力电子器件在实际应用中的系统组成部分。（）
A.控制电路
B.检测电路
C.驱动电路
D.主电路
开始考试点击查看答案 - 9晶闸管的控制电流与转折电压的关系，下列说法错误的是（）。
A.晶闸管的控制电流越大，转折电压越小
B.晶闸管的控制电流越小，转折电压越大
C.晶闸管的控制电流越大，转折电压越大
D.晶闸管的控制电流越小，转折电压越小
开始考试点击查看答案 - 10使晶闸管关断的方法有（)。
A.给门极施加反压
B.去掉阳极的正向电压
C.增大回路阻抗
D.给阳极施加反压
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