A.控制电路
B.检测电路
C.驱动电路
D.主电路
A.MOSFET不存在少子储存效应,开通关断过程非常迅速
B.MOSFE是场控器件,静态时几乎不需输入电流,开通关断过程时间长
C.MOSFET是场控器件,静态时需输入大电流,开通关断过程时间长
D.MOSFE是场控型和双极型器件,开关速度快
开始考试点击查看答案A.0.45
B.0.9
C.1.57
D.11
开始考试点击查看答案A.允许流过最大工频正弦半波电流的有效值。
B.允许流过最大工频正弦半波电流的最大值。
C.允许流过最大工频正弦半波电流的平均值。
D.允许流过最大方波电流的平均值。
开始考试点击查看答案A.IGBT
B.GTR
C.GT0
D.电力 M0SFET
开始考试点击查看答案A.维持电流
B.擎住电流
C.额定电流
D.关断电流
开始考试点击查看答案A.晶闸管的控制电流越大,转折电压越小
B.晶闸管的控制电流越小,转折电压越大
C.晶闸管的控制电流越大,转折电压越大
D.晶闸管的控制电流越小,转折电压越小
开始考试点击查看答案A.给门极施加反压
B.去掉阳极的正向电压
C.增大回路阻抗
D.给阳极施加反压
开始考试点击查看答案A.零偏置
B.正向偏置
C.反向偏置
D.转向偏置
开始考试点击查看答案A.快速晶闸管
B.双向晶闸管
C.门极可关断晶闸管
D.光控晶闸管
开始考试点击查看答案A.放大区
B.截止区
C.饱和区
D.开关区
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