试卷相关题目
- 1电力场效应管MOSFET适于在（）条件下工作。
A.直流
B.低频
C.中频
D.高频
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逆变电路输出频率较高时，电路单的开关元件应采用（）。
A.晶闸管
B.单结晶体管
C.电力晶体管
D.绝缘栅双极型晶体管
开始考试点击查看答案 - 3下列半导体器件中属于电流型控制的器件是（）。
A.IPM
B.MOSFET
C.IGBT
D.GTO
开始考试点击查看答案 - 4比较而言，下列半导体器件中输入阻抗最大的的是（）。
A.IGBT
B.MOSFET
C.GTR
D.GTO
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三相全控桥式整流电路带电阻负载，当触发角α=0°时，输出的负载电压平均值为（）。
A.0.45U2
B.0.9U2
C.1.17U2
D.2.34U2
开始考试点击查看答案 - 6电力晶体管的开关频率（.）电力场效应管。
A.稍高于
B.低于
C.远高于
D.等于
开始考试点击查看答案 - 7如晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V，反向重复峰值电压为825V，则该晶闸管的额定电压为（）。
A.700V
B.750V
C.800V
D.850V
开始考试点击查看答案 - 8下列电力电子器件中，（）的驱动功率小，驱动电路简单。
A.普通晶闸管
B.可关断晶闸管
C.电力晶体管
D.功率场效应晶体管
开始考试点击查看答案 - 9二极管两端加上正向电压时（）。
A.一定导通
B.超过死区电压才导通
C.超过0.3V才导通
D.超过0.7V才导通
开始考试点击查看答案 - 10下列电力半导体器件电路符号中，表示GTO器件电路符号的是（）
A.
B.
C.
D.
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