试卷相关题目
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要使绝缘栅双极型晶体管导通，应（）。
A.在栅极加正电压;
B.在集电极加正电压
C.在栅极加负电压
D.在集电极加负电压
开始考试点击查看答案 - 2电力场效应管MOSFET适于在（）条件下工作。
A.直流
B.低频
C.中频
D.高频
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逆变电路输出频率较高时，电路单的开关元件应采用（）。
A.晶闸管
B.单结晶体管
C.电力晶体管
D.绝缘栅双极型晶体管
开始考试点击查看答案 - 4下列半导体器件中属于电流型控制的器件是（）。
A.IPM
B.MOSFET
C.IGBT
D.GTO
开始考试点击查看答案 - 5比较而言，下列半导体器件中输入阻抗最大的的是（）。
A.IGBT
B.MOSFET
C.GTR
D.GTO
开始考试点击查看答案 - 6如晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V，反向重复峰值电压为825V，则该晶闸管的额定电压为（）。
A.700V
B.750V
C.800V
D.850V
开始考试点击查看答案 - 7下列电力电子器件中，（）的驱动功率小，驱动电路简单。
A.普通晶闸管
B.可关断晶闸管
C.电力晶体管
D.功率场效应晶体管
开始考试点击查看答案 - 8二极管两端加上正向电压时（）。
A.一定导通
B.超过死区电压才导通
C.超过0.3V才导通
D.超过0.7V才导通
开始考试点击查看答案 - 9下列电力半导体器件电路符号中，表示GTO器件电路符号的是（）
A.
B.
C.
D.
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- 10下列电力半导体器件电路符号中，表示GTR器件电路符号的是（）。
A.
B.
C.
D.
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