使用或储存电力MOSFET时，要注意栅源极间电压限制在（）以内。

试卷相关题目

• 1下列器件中，（）的开关频率是最高的。

  A.晶闸管

  B.电力MOSFET

  C.IGBT

  D.GTO

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• 2

  下面的晶闸管中，（）在高压大功率的场合，如高压直流输电和高压核聚变装置中，占据重要的地位。

  A.快速晶闸管

  B.双向晶闸管

  C.逆导晶闸管

  D.光控晶闸管

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• 3下面晶闸管的派生器件里，（）相当于将一个晶闸管与-一个二极管反并联。

  A.快速晶闸管

  B.双向晶闸管

  C.逆导晶闸管

  D.光控晶闸管

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• 4电流型逆变电路中限通过在电路直流侧串联（），实现电流源的功能。

  A.大电感

  B.大电容

  C.晶闸管

  D.二极管

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• 5直流电源为电流源的逆变电路称为了型逆变电路。

  A.电压

  B.电流

  C.升压

  D.降压

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• 6

  智能功率模块IPM往往专指（）及其辅助器件与其保护和驱动电路的集成安装

  A.晶闸管

  B.电力MOSFET

  C.IGBT

  D.GTO

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• 7

  20世纪90年代中期以来，逐渐形成了小功率（10kW以下）场合以（）为主的局面，

  A.晶闸管

  B.电力MOSFET

  C.IGBT

  D.GTO

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• 8

  很多专家都认为，在未来十年内（）.都将保持其在电力电子技术中的重要地位。

  A.晶闸管

  B.电力MOSFET

  C.IGBT

  D.GTO.

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• 9

  下列新型电力电子器件中，（）工作频率与电力MOSFET相当,功率容量比电力MOSFET大，因而适用于高频大功串场合。

  A.MCT

  B.SIT

  C.SItH

  D.IGCT

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• 10

  下列新型电力电子器件中，（）正在与IGBT竞争，试取代化IGBT在兆瓦级以上场合的地位。

  A.MCT

  B.SIT

  C.SITH

  D.IGCT

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