下列新型电力电子器件中，（）正在与IGBT竞争，试取代化IGBT在兆瓦级以上场合的地位。

试卷相关题目

• 1

  下列新型电力电子器件中，（）工作频率与电力MOSFET相当,功率容量比电力MOSFET大，因而适用于高频大功串场合。

  A.MCT

  B.SIT

  C.SItH

  D.IGCT

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• 2

  很多专家都认为，在未来十年内（）.都将保持其在电力电子技术中的重要地位。

  A.晶闸管

  B.电力MOSFET

  C.IGBT

  D.GTO.

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• 3

  20世纪90年代中期以来，逐渐形成了小功率（10kW以下）场合以（）为主的局面，

  A.晶闸管

  B.电力MOSFET

  C.IGBT

  D.GTO

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• 4

  智能功率模块IPM往往专指（）及其辅助器件与其保护和驱动电路的集成安装

  A.晶闸管

  B.电力MOSFET

  C.IGBT

  D.GTO

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• 5使用或储存电力MOSFET时，要注意栅源极间电压限制在（）以内。

  A.20

  B.40

  C.50

  D.100

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• 620世纪80年代中后期，出现模块化趋势。将器件与逻辑、控制、保护、传感、检测、自诊断等信息电子电路制作在同一芯片上，称为（）

  A.功率模块

  B.功率集成电路

  C.智能NGBTS

  D.高压集成电路

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• 7

  某电力二极管在电路中要流过实际电流的有效值为314A2那么倍裕量，选择额定电流为（）的二极管。

  A.200A

  B.314A

  C.400A

  D.986A

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• 8

  某电力二极管额定电流为200A,那么考虑2倍裕量，在电路允许长期流过的实际电流的有效值1为（）。

  A.100A

  B.157A

  C.200A

  D.400A

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• 9

  某电路中需要承受的最高反向峰值为200V,考能2倍裕量，选择额定电压U为（）的二极管。

  A.200V

  B.282V

  C.400V

  D.564V

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• 10

  晶闸管除了可以通过门极电流触发,还有几种误导通的情况。其中，利用（）制造的晶闸管可以保证控制电路与主电路之间的良好绝缘而应用于高压电力设备中。

  A.阳极电压升高至相当高的数值造成雪崩效应

  B.阳极电压上升率过高:

  C.结温较高;

  D.光直接照射硅片。

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