A.降低 du/dt 和 di/dt
B.减少器件的开关损耗
C.避免器件损坏
D.减少浪涌电压
A.延迟时间为门极电流阶跃开始到阳极电流上升至稳态值的10%。
B.延迟时间随门极电流的增大而减小。
C.上升时间为阳极电流从10%上升至稳态值的90%所用时间。
D.降低阳极电压,延迟时间和上升时间都可显著缩短
开始考试点击查看答案MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区.饱和区.非饱和区分别对应后者的()。
A.不饱和区
B.放大区
C.饱和区
D.有源区
开始考试点击查看答案下列选项属于MOSFET的特点有()。
A.开关速度快
B.驱动频率髙
C.电压高
D.驱动功率小
开始考试点击查看答案A.放大区
B.截止区
C.饱和区
D.开关区
开始考试点击查看答案A.快速晶闸管
B.双向晶闸管
C.门极可关断晶闸管
D.光控晶闸管
开始考试点击查看答案A.正确
B.错误
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B.错误
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B.错误
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B.错误
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