A.快速晶闸管
B.双向晶闸管
C.门极可关断晶闸管
D.光控晶闸管
A.零偏置
B.正向偏置
C.反向偏置
D.转向偏置
开始考试点击查看答案A.给门极施加反压
B.去掉阳极的正向电压
C.增大回路阻抗
D.给阳极施加反压
开始考试点击查看答案A.晶闸管的控制电流越大,转折电压越小
B.晶闸管的控制电流越小,转折电压越大
C.晶闸管的控制电流越大,转折电压越大
D.晶闸管的控制电流越小,转折电压越小
开始考试点击查看答案A.控制电路
B.检测电路
C.驱动电路
D.主电路
开始考试点击查看答案A.通态压降降低
B.通态损耗下降
C.关断时间延长
D.开关损耗下降
开始考试点击查看答案A.放大区
B.截止区
C.饱和区
D.开关区
开始考试点击查看答案下列选项属于MOSFET的特点有()。
A.开关速度快
B.驱动频率髙
C.电压高
D.驱动功率小
开始考试点击查看答案MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区.饱和区.非饱和区分别对应后者的()。
A.不饱和区
B.放大区
C.饱和区
D.有源区
开始考试点击查看答案A.延迟时间为门极电流阶跃开始到阳极电流上升至稳态值的10%。
B.延迟时间随门极电流的增大而减小。
C.上升时间为阳极电流从10%上升至稳态值的90%所用时间。
D.降低阳极电压,延迟时间和上升时间都可显著缩短
开始考试点击查看答案A.降低 du/dt 和 di/dt
B.减少器件的开关损耗
C.避免器件损坏
D.减少浪涌电压
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