A.89nF
B.l000pF
C.2uF
D.5uF
A.3uF
B.6uF
C.8uF
D.l0uF
开始考试点击查看答案A.输出电压平均值降低
B.可能会使晶闸管误导通
C.换相使电网电压出现缺口
D.功率因数降低
开始考试点击查看答案三相半波可控整流电路电阻性负载,输出电压与输入电压的比值/=()属于合理的取值。
A.1.17
B.0.8
C.0
D.1.2
开始考试点击查看答案A.30°〜150°
B.0°〜120°
C.15°〜125°
D.0°〜150°
开始考试点击查看答案A.三相半波可控整流电路
B.三相桥式全控整流电路
C.单相桥式可控整流电路
D.单相全波可控整流电路外接续流二极管
开始考试点击查看答案A.维持电流
B.擎住电流
C.额定电流
D.关断电流
开始考试点击查看答案A.IGBT
B.GTR
C.GT0
D.电力 M0SFET
开始考试点击查看答案A.允许流过最大工频正弦半波电流的有效值。
B.允许流过最大工频正弦半波电流的最大值。
C.允许流过最大工频正弦半波电流的平均值。
D.允许流过最大方波电流的平均值。
开始考试点击查看答案A.0.45
B.0.9
C.1.57
D.11
开始考试点击查看答案A.MOSFET不存在少子储存效应,开通关断过程非常迅速
B.MOSFE是场控器件,静态时几乎不需输入电流,开通关断过程时间长
C.MOSFET是场控器件,静态时需输入大电流,开通关断过程时间长
D.MOSFE是场控型和双极型器件,开关速度快
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