试卷相关题目
- 1电容滤波的三相不可控整流电路，交流电源的频率为50Hz，负载=若要使输出电流连续，电容值为（）可以满足要求。
A.89nF
B.l000pF
C.2uF
D.5uF
开始考试点击查看答案 - 2电容滤波的单相不可控整流电路,若负载R=5Ω,交流电源的频率为50Hz,为了使输出电压
=1.2
,电容值为（）可以满足要求。A.3uF
B.6uF
C.8uF
D.l0uF
开始考试点击查看答案 - 3下列属于变压器漏感对整流电路的影响有（）。
A.输出电压平均值降低
B.可能会使晶闸管误导通
C.换相使电网电压出现缺口
D.功率因数降低
开始考试点击查看答案 - 4
三相半波可控整流电路电阻性负载，输出电压与输入电压的比值
/
=()属于合理的取值。A.1.17
B.0.8
C.0
D.1.2
开始考试点击查看答案 - 5电阻性负载三相半波可控整流电路中，控制角的范围是（）
A.30°〜150°
B.0°〜120°
C.15°〜125°
D.0°〜150°
开始考试点击查看答案 - 6下列器件中，没有电导调制效应的器件为（）
A.IGBT
B.GTR
C.GT0
D.电力 M0SFET
开始考试点击查看答案 - 7晶闸管额定电流描述正确的是：（）
A.允许流过最大工频正弦半波电流的有效值。
B.允许流过最大工频正弦半波电流的最大值。
C.允许流过最大工频正弦半波电流的平均值。
D.允许流过最大方波电流的平均值。
开始考试点击查看答案 - 8工频正弦半波电流的波形系数为（）
A.0.45
B.0.9
C.1.57
D.11
开始考试点击查看答案 - 9关于MOSFET的开关速度，表述正确的是（）。
A.MOSFET不存在少子储存效应，开通关断过程非常迅速
B.MOSFE是场控器件，静态时几乎不需输入电流，开通关断过程时间长
C.MOSFET是场控器件，静态时需输入大电流，开通关断过程时间长
D.MOSFE是场控型和双极型器件，开关速度快
开始考试点击查看答案 - 10电容滤波的三相不可控整流电路，电阻性负载，若变压器二次侧电压的峰值为输出电压的平均值可能为（)。
A.
B.
C.
D.
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