A.
B.
C.
D.
A.MOSFET不存在少子储存效应,开通关断过程非常迅速
B.MOSFE是场控器件,静态时几乎不需输入电流,开通关断过程时间长
C.MOSFET是场控器件,静态时需输入大电流,开通关断过程时间长
D.MOSFE是场控型和双极型器件,开关速度快
开始考试点击查看答案A.0.45
B.0.9
C.1.57
D.11
开始考试点击查看答案A.允许流过最大工频正弦半波电流的有效值。
B.允许流过最大工频正弦半波电流的最大值。
C.允许流过最大工频正弦半波电流的平均值。
D.允许流过最大方波电流的平均值。
开始考试点击查看答案A.IGBT
B.GTR
C.GT0
D.电力 M0SFET
开始考试点击查看答案A.维持电流
B.擎住电流
C.额定电流
D.关断电流
开始考试点击查看答案整流变压器二次侧为星形连接的三相桥式不可控整流电路,C.三相分别共阴极组的二极管VD1,VD3,VD5,还分别接共阳极组的二极管VD4,VD6,VD2,下列()不属于此情形下二极管的换相顺序。
A..共阴A相共阳极C相-共阴极B相共阳B相决阴C相共阳A相-共阴A相
B..共阴A相-共阳极B相-共阴极C相-共阳B相-共阴C相-共阳B相共阴A相
C.共阴A相决阳极C相决阴极B相-共阳A相决阴C相决阴B相-共阴A相
D..共阴A相决阳极C相-共阴极C相-共阳A相-共阴B相-共阴B相-共阴A相
开始考试点击查看答案A.触发脉冲丢失
B.触发脉冲延时
C.交流电源缺相
D.β>35°
开始考试点击查看答案A.正确
B.错误
开始考试点击查看答案A.正确
B.错误
开始考试点击查看答案A.正确
B.错误
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