TTL门电路工作结构中的OC门指（    ）开路

试卷相关题目

• 1二极管与门的逻辑表达式为（    ）。

  A.F=A、B

  B.F=A⊕B

  C.F=A⊙B

  D.F=A+B

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• 2按照电路的不同结构，门电路可以分为（    ）与（ ）。

  A.分立元件门电路，TTL门电路

  B.集成门电路和双极型电路

  C.分立元件门电路，集成门电路

  D.TTL门电路，集成门电路

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• 3三端输入一端输出的逻辑与非门电路，要使其输出端得到低电平必须使（    ）。

  A.三个输入全为高电平

  B.三个输入全为低电平

  C.三个输入中一个为低电平

  D.三个输入中一个为高电平

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• 4由于存在PN结表面的（    ）和半导体的（ ），使得每只二极管的工作特性都不相同。

  A.漏电阻；体电阻

  B.表电阻；导通电阻

  C.表电阻；体电阻

  D.漏电阻；导通电阻

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• 5当对半导体二极管外加正向电压时（    ），外加反向电压时（ ）

  A.导通；导通

  B.导通；截止

  C.截止；导通

  D.截止；截止

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• 6“线与”是指多条（    ）直接连在一起

  A.输入线

  B.集电极

  C.发射极

  D.集电极

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• 7TTL电路中的逻辑0和1所对应电平的标称值分别是（    ）

  A.（0V ，+8V）

  B.（+0.3V，+3.6V）

  C.（+1V,+6V）

  D.（0V，+15V）

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• 8对于CMOS门电路，无论输入电平V1是高电平还是低电平，两个MOS管工作（    ）

  A.都是导通状态

  B.都是截止状态

  C.一个在导通状态而另一个在截止状态

  D.无法判断

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• 9CMOS反相器工作时的全部功耗应等于（    ）

  A.动态功耗

  B.静态功耗

  C.动态功耗与噪声功耗之和

  D.动态功耗与静态功耗之和

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• 10CMOS反相器基本电路包括（    ）

  A.P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管

  B.P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管

  C.P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管

  D.P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型

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