电子技术试题1

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• 1在本征半导体中掺入五价元素的杂质原子即可形成（ ）。

  A.本征半导体

  B.N型半导体

  C.P型半导体

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• 2 N型半导体的多数载流子是（ ）。

  A.自由电子

  B.空穴

  C.正离子

  D.负离子

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• 3 P型半导体中的多数载流子是（）。

  A.自由电子

  B.空穴

  C.正离子

  D.负离子

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• 4PN结中扩散电流的方向是（ ），漂移电流的方向是（ ）。

  A.从P区到N区

  B.从N区到P区

  C.从电源负极到电源正极

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• 5当扩散电流（ ）漂移电流时，PN结达到动态平衡。

  A.大于

  B.小于

  C.等于

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• 6二极管的正向电阻（ ）反向电阻。

  A.大于

  B.远小于

  C.等于

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• 7锗二极管的导通电压（ ），死区电压（ ），硅二极管的导通电压（ ），死区电压（ ）。

  A.0. 7V

  B.0.2V

  C.0.3V

  D.0.5V

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• 8二极管的导通条件是（ ）。

  A.«D>0

  B.uD>死区电压

  C.md>击穿电压

  D.wD<死区电压

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• 9当温度升髙时，二极管的正向电压（ ），反向电流（ ）。

  A.增大

  B.减小

  C.基本不变

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• 10把一^二极管直接同一^电动势为1.5V，内阻为零的电池正向连接，该管（）。

  A.击穿

  B.电流为零

  C.电流正常

  D.电流过大使管子烧坏1-11电路如图M5所示，VD,和VD2是硅管，输出电压R应为（ ）。A. 0.7V B. 7.3VC. 8VD. 8.7V

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